伴随粒子法D-D/D-T中子产额测量方法研究
发布时间：2021-11-06 13:47
紧凑型D-D/D-T中子发生器其中子产额高,在工业在线活化分析、爆炸物及毒品检测、快中子治癌等中子应用技术研究中有广泛的应用价值。在紧凑型中子发生器研究应用中,中子产额的准确测量是急需解决的关键问题。本论文针对兰州大学研制的紧凑型中子发生器中子产额及通量测量需求,开展对其测量方法和技术的研究工作。对本工作的主要研究内容、结果与结论总结如下:开展了90o伴随粒子法氘氘、氘氚快中子产额和通量测量的理论及方法研究,提出了一种修正因子的计算方法,开发了相应的计算机程序,完成了入射D粒子能量20 keV-700 keV能区,90o伴随粒子法氘氘、氘氚快中子产额和通量测量所需的修正因子的理论计算,且和起初的计算结果作了比较,给出了计算数据的不确定度约为2%和1.41%。搭建了90o伴随粒子法中子产额测量探测器系统,且在紧凑型D-D中子发生器上进行了初步实验调试,得到了伴随粒子多道谱,证实了D-D聚变反应已经发生,有快中子输出。但由于小型氘氘中子发生器安装的同轴性差,加速腔内反加速电子干扰大,伴随质子计数还不能正确反映D-D中子产额,还需进一步细致研究。采用EJ-410闪烁体探测器,对小型氘氘中子发...
【文章来源】：兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：72 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
41Am-Be源中子能谱
在均匀轻水慢化反应堆芯部和铍反射层中的典型中子及其特性各类加速器来加速带电粒子并轰击某种靶物质子源通常分为高能加速器散裂中子源、电子加速器中子源等。是将某些带电粒子加速到一定能量与重核相互特点是中子产额很高（1015-1018n/s），中子能谱射和衍射谱仪，也可应用于中子核数据测量和白光中子源是将产生的高能电子打到靶材料，发核发生光核反应得到中子。其中子能谱为连续谱底。通常用于核数据测量，也可以用于其它辐子加速器中子源是通过低能加速器加速某种带子。低能加速器中子源通常可用的核反应主要T（d，n）4He（D-T）反应、9Be(d，xn)、7Li（
(2)引出加速电极，(3)靶，(4)金硅面垒探测器，(5)靶冷却管道接头，(6)不锈钢外壳，(7)绝缘环，(8)冷却管道，(9)高压电缆，(10)真空抽气口图2-2 伴随粒子法探测器系统电子学框图2.2 90o伴随粒子法中子产额及通量测量原理2.2.1 90o伴随粒子法 D-D 中子产额测量原理在低能氘束下，氘氘聚变反应主要存在 3D d ,n He反应和 D d ,p T 反应两个反应道，即：d DnHe3.269MeV3 (2.1)d D p T 4.033MeV(2.2)由以上两个反应道反应方程可以看出，在低能 D 束流下，DD 聚变反应同时存在两个反应道，即：D（d,n）3He 和 D（d,p）T 反应。为测量 D-D 反应的中子产额及通量，理论上可以记录第一反应道对应产生的3He 粒子，但由于其能量偏低（约 0.78 MeV）
【参考文献】：
期刊论文
[1]90o伴随粒子法D-D中子产额测量修正因子计算[J]. 李建一,王俊润,张宇,黄智武,卢小龙,徐大鹏,张杰,韦峥,马占文,姚泽恩. 核技术. 2017(01)
[2]射极跟随器的实验研究[J]. 谭汉洪,刘勇求. 塑料制造. 2013(07)
[3]金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置[J]. 张阳,金华. 核电子学与探测技术. 2012(12)
[4]高产额中子发生器研制[J]. 肖坤祥,冉汉正,曾清,向伟,梅林. 原子能科学技术. 2012(S1)
[5]Protell99SE原理图库文件的两种制作方法[J]. 吴华杰. 硅谷. 2011(02)
[6]Protel99se在电子学教学中的应用[J]. 张汶亮. 长春理工大学学报(综合版). 2006(03)
[7]中子活化分析原理及应用简介[J]. 李德红,苏桐龄. 大学物理. 2005(06)
[8]“射极跟随器”的特点及应用[J]. 周金成,张海泉. 河南教育学院学报(自然科学版). 2004(03)
[9]新型半导体探测器发展和应用[J]. 孟祥承. 核电子学与探测技术. 2004(01)
[10]在Protel99se下实现可编程逻辑器件设计[J]. 王利军. 国外电子元器件. 2003(10)
本文编号：3479944
【文章来源】：兰州大学甘肃省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校
【文章页数】：72 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
41Am-Be源中子能谱
在均匀轻水慢化反应堆芯部和铍反射层中的典型中子及其特性各类加速器来加速带电粒子并轰击某种靶物质子源通常分为高能加速器散裂中子源、电子加速器中子源等。是将某些带电粒子加速到一定能量与重核相互特点是中子产额很高（1015-1018n/s），中子能谱射和衍射谱仪，也可应用于中子核数据测量和白光中子源是将产生的高能电子打到靶材料，发核发生光核反应得到中子。其中子能谱为连续谱底。通常用于核数据测量，也可以用于其它辐子加速器中子源是通过低能加速器加速某种带子。低能加速器中子源通常可用的核反应主要T（d，n）4He（D-T）反应、9Be(d，xn)、7Li（
(2)引出加速电极，(3)靶，(4)金硅面垒探测器，(5)靶冷却管道接头，(6)不锈钢外壳，(7)绝缘环，(8)冷却管道，(9)高压电缆，(10)真空抽气口图2-2 伴随粒子法探测器系统电子学框图2.2 90o伴随粒子法中子产额及通量测量原理2.2.1 90o伴随粒子法 D-D 中子产额测量原理在低能氘束下，氘氘聚变反应主要存在 3D d ,n He反应和 D d ,p T 反应两个反应道，即：d DnHe3.269MeV3 (2.1)d D p T 4.033MeV(2.2)由以上两个反应道反应方程可以看出，在低能 D 束流下，DD 聚变反应同时存在两个反应道，即：D（d,n）3He 和 D（d,p）T 反应。为测量 D-D 反应的中子产额及通量，理论上可以记录第一反应道对应产生的3He 粒子，但由于其能量偏低（约 0.78 MeV）
【参考文献】：
期刊论文
[1]90o伴随粒子法D-D中子产额测量修正因子计算[J]. 李建一,王俊润,张宇,黄智武,卢小龙,徐大鹏,张杰,韦峥,马占文,姚泽恩. 核技术. 2017(01)
[2]射极跟随器的实验研究[J]. 谭汉洪,刘勇求. 塑料制造. 2013(07)
[3]金硅面垒型半导体探测器专用电荷灵敏放大装置[J]. 张阳,金华. 核电子学与探测技术. 2012(12)
[4]高产额中子发生器研制[J]. 肖坤祥,冉汉正,曾清,向伟,梅林. 原子能科学技术. 2012(S1)
[5]Protell99SE原理图库文件的两种制作方法[J]. 吴华杰. 硅谷. 2011(02)
[6]Protel99se在电子学教学中的应用[J]. 张汶亮. 长春理工大学学报(综合版). 2006(03)
[7]中子活化分析原理及应用简介[J]. 李德红,苏桐龄. 大学物理. 2005(06)
[8]“射极跟随器”的特点及应用[J]. 周金成,张海泉. 河南教育学院学报(自然科学版). 2004(03)
[9]新型半导体探测器发展和应用[J]. 孟祥承. 核电子学与探测技术. 2004(01)
[10]在Protel99se下实现可编程逻辑器件设计[J]. 王利军. 国外电子元器件. 2003(10)
本文编号：3479944
本文链接：https://www.wllwen.com/projectlw/hkxlw/3479944.html
