电子束熔炼提纯金属镧的研究
【图文】:
逦918逦3457逡逑图2.1显示了纯物质的饱和蒸气压随温度变化的具体变化值。从图2.1中可以看逡逑出,在1250?2500K的温度范围内,Mg、Li、Mn饱和蒸气压要远远大于镧的饱和蒸逡逑气压,表明电子束熔炼能去除上述杂质,这与本课题组的真空精炼镧能有效去除镧中逡逑的Mg、Li、Mn杂质的实验结果一致。但是,真空精炼镧的实验结果显示,Fe没有逡逑去除效果。查阅相关书籍,在利用不同金属的饱和蒸气压之比判断能否除杂时,还逡逑应该考虑杂质元素与基体金属镧的相互作用力,因为该相互作用力会影响杂质元素的逡逑实际蒸气压
式(2.18)中x,的值在1?200(Hig/g范围内,,因为在稀溶液中,溶质含量的变化逡逑对其活度系数的值的影响极其微小,因此忽略溶质浓度变化的影响。根据实际的电子逡逑束熔炼温度,计算温度范围为1800?2400K的Cr、Fe的活度系数值(见图2.2)。逡逑18逦逡逑16邋-X.逡逑S邋12邋-逡逑§10邋-逡逑|8-逡逑<邋6邋-逡逑4邋-逡逑Fe逡逑2邋逦逦—逦逦逦逡逑I逦<逦ii逦I逦逡逑1800逦1900逦2000逦2100逦2200逦2300逦2400逡逑Temperature邋/邋K逡逑图2.2镧中杂质Cr、Fe的活度系数与温度的关系逡逑从图2.2中可以看出,镧中Cr、Fe的活度系数大于1,表明La-Cr、La-Fe二元逡逑系是正偏差溶液体系。逡逑结合表2.1、表2.2和图2.2的计算值,在电子束熔炼温度范围内,Cu、Cr、Fe、逡逑Ti、Ni、Si的蒸发系数值如图2.3所示。Cu、Cr、Fe、Ti的蒸发系数与温度的关系表逡逑明(见图2.3a),电子束熔炼工艺能有效去除上述杂质。Nu邋Si的蒸发系数与温度的逡逑关系表明(见图23b),电子束熔炼不能去除Ni、Si杂质。逡逑16逡逑
【学位授予单位】:北京有色金属研究总院
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2019
【分类号】:TF845
【相似文献】
相关期刊论文 前10条
1 王步根;黄以平;;电子束熔炼多晶硅温度场的数值模拟[J];能源技术;2009年06期
2 马立蒲;刘为超;;电子束熔炼技术及其应用[J];有色金属加工;2008年06期
3 张文林,孙涛,李娟莹;电子束熔炼及其设备[J];冶金设备;2003年04期
4 Kiyotaka Ito;王中奎;;钨中的金属杂质在化学法和熔炼法精炼过程中的行为[J];中国钨业;1989年04期
5 尚再艳;张涛;陈明;朱晓光;刘红宾;何金江;;镍的电子束熔炼提纯研究[J];稀有金属;2013年01期
6 杨尚磊,薛小怀,楼松年,李仕民;耐高温复合材料的电子束熔炼制备工艺研究[J];表面技术;2005年03期
7 张德信;电子束熔炼生产钼电极工艺通过鉴定[J];玻璃纤维;1999年04期
8 郭让民,李哲;碘化钛的电子束熔炼提纯效果分析[J];稀有金属材料与工程;1996年06期
9 韩耀文;电子束熔炼、焊接、加工、蒸镀与区域熔炼等装置[J];真空技术报导;1965年04期
10 武宏让;Timet将装备VAR炉[J];钛工业进展;1998年02期
相关会议论文 前5条
1 Takayuki Nishi;Yukio Ishizaka;Yusuke Nakano;;电子束熔炼法评定洁净钢中夹杂物[A];中国金属学会2003中国钢铁年会论文集(3)[C];2003年
2 曹朝辉;;电子束熔炼的偏转、聚焦控制[A];2008全国第十三届自动化应用技术学术交流会论文集[C];2008年
3 曹朝辉;;电子束熔炼的偏转、聚焦控制[A];中国计量协会冶金分会2008年会论文集[C];2008年
4 李少青;张毓新;王学东;姚舜;;利用扫描电子束熔炼制备中间层[A];2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2004年
5 杨尚磊;楼松年;薛小怀;卢凤桂;;基于扫描轨迹控制的电子束熔炼制备梯度材料的研究[A];第十一次全国焊接会议论文集(第2册)[C];2005年
相关重要报纸文章 前2条
1 董艳伍 姜周华;特种电冶金工艺技术的发展与应用[N];世界金属导报;2019年
2 记者 呼跃军;通辽晟阳物理法多晶硅项目投产[N];中国化工报;2011年
相关博士学位论文 前2条
1 Hafiz Muhammad Noor ul Huda Khan Asghar;电子束熔炼去除硅中氧、碳及其化合物的研究[D];大连理工大学;2016年
2 姜大川;电子束熔炼提纯多晶硅的研究[D];大连理工大学;2012年
相关硕士学位论文 前10条
1 杨振飞;电子束熔炼提纯金属镧的研究[D];北京有色金属研究总院;2019年
2 程阳;电子束熔炼铌氢化脱氢制备细颗粒低氧铌粉的研究[D];郑州大学;2018年
3 温书涛;电子束熔炼提纯多晶硅中热量传输和能量利用的研究[D];大连理工大学;2013年
4 彭旭;电子束熔炼冶金硅中杂质蒸发行为研究[D];大连理工大学;2011年
5 韩晓洁;电子束再生制造多晶硅熔体全熔时点的判断[D];大连理工大学;2017年
6 邹瑞洵;电子束处理多晶硅粉体除杂的工艺研究[D];大连理工大学;2012年
7 王鹏;电子束熔炼提纯金属镍的研究[D];大连理工大学;2016年
8 刘业;电子束熔炼法提纯钨过程中杂质的去除工艺及其机理研究[D];中南大学;2013年
9 张聪;熔融态冶金级硅中杂质的挥发去除行为研究[D];大连理工大学;2010年
10 徐云飞;冶金法制备太阳能级多晶硅工艺研究[D];大连理工大学;2008年
本文编号:2622173
本文链接:https://www.wllwen.com/projectlw/yjlw/2622173.html