复合铪基高k薄膜的双频等离子体涂覆和机理研究.pdf 全文免费在线阅读

  本文关键词：复合铪基高k薄膜的双频等离子体涂覆及机理研究，由笔耕文化传播整理发布。

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复合铪基高k薄膜的双频等离子体涂覆及机理研究中文摘要I复合铪基高k薄膜的双频等离子体涂覆及机理研究中文摘要以硅基集成电路为核心的微电子工业正遵循着摩尔定律蓬勃发展。国际半导体技术发展规划指出,2015年以后半导体器件将进入22 nm线宽的纳电子器件时代,并将持续缩小特征尺寸。然而器件的沟道尺寸和栅介质厚度等物理尺寸并不能无限缩小。在65 nm线宽工艺制程中,传统栅介质材料SiO2的厚度已经接近原子间距,达到物理极限。受隧穿效应的影响,栅极漏电流开始成为一个不容忽视的问题。采用高k材料代替传统的SiO2则能有效解决上述问题,因为在具有相同等效氧化层厚度的前提下,高k栅介质具有更大的物理厚度来限制隧穿效应的影响,防止漏电流增大和杂质扩散。以HfO2为代表的铪基高k薄膜因具有相对较高的介电常数、较宽的带隙以及与Si衬底之间较大的导带偏移(1.5 eV),成为目前备受关注、最具应用前景的新型栅介质材料之一。但是,铪基高k材料作为目前MOS工艺中新型栅介质材料应用时,仍具有一定的不足之处,如HfO2在制备过程中易形成氧空位等本征缺陷、与Si衬底之间易形成界面层以及与金属电极接触会形成费米能级的钉扎等。如何优化铪基高k材料的质量和提高铪基栅介质的性能,成为国内外... 内容来自转载请标明出处.

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