基于MoS 2 、WSe 2 二维半导体的范德华异质结器件研究

发布时间：2021-08-31 01:17

　　晶体管特征尺寸的不断缩小推动着半导体技术的快速发展,将人类带入了信息时代。但是随着栅极长度的减小,栅极电压对于晶体管沟道的控制能力也快速衰减。为了提高电流开关比,抑制短沟道效应,不断缩小的特征尺寸要求晶体管的沟道厚度也急剧缩小。采用最新的鳍式结构制备的硅晶体管,目前达到了7 nm的工艺节点,其中它的鳍宽度（沟道厚度）已近缩小到5 nm。但是继续缩小硅晶体管的沟道厚度,超薄的硅薄膜会产生大量的缺陷,将会严重影响硅晶体管的迁移率等电学性能。与传统的硅基体材料半导体相比,二维半导体具有原子级平整的表面,所以在其达到原子尺度的极限厚度时仍然具有稳定的电学和光学特性。另外,由于二维半导体其本身就是绝缘层上硅结构,该结构栅极控制能力强,可以有效抑制晶体管的短沟道效应,有望解决小尺度硅器件所面临的主要挑战。但是目前被发现的二维半导体都有各自的优缺点,可以直接代替硅的完美二维半导体仍然没有出现。所以为了充分利用现有的二维半导体的优良特性,将不同的二维半导体进行组合,取长补短,实现具有特殊功能的范德华异质结器件是二维半导体研究的一个重要方向。本文基于以上研究思路,采用范德华异质集成的方法,设计与制备不同... 

【文章来源】：武汉大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：101 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

体材料半导体和二维维半导体

MOSFEET的基本构造造

面处.3.不同的处的能带和载的栅极电压Vg载流子变化


本文编号：3373881