Ⅲ-Ⅴ族高迁移率材料异质外延及应用

发布时间：2022-01-01 17:16

　　在Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物中,具有最高的电子迁移率和电子饱和漂移速度的窄带隙材料InAs、InSb和InAsSb可以与宽带隙材料AlSb、GaSb以及相关的三元材料形成多样化的量子阱能带结构,这种能带结构可以很好的限制量子阱中的载流子。这些材料具有的优异性能可以制备出超高速、低功耗的电学器件,应用于无线高频通信、军事雷达、便携式移动设备以及真空探测等领域。本文对InAs、InSb和InAsSb的异质外延材料与器件进行了理论分析和实验研究。主要的工作和创新成果有:（1）高迁移率异质外延材料和器件的理论分析计算了量子阱结构中的电子迁移率,考虑了影响迁移率的各种散射机制,尤其增加了位错散射对迁移率的影响。其次,采用Sentaurus软件,对以InAs、InSb和InAsSb为沟道材料的高迁移率器件的电学特性进行了仿真,结果得到:当设定三种器件的栅长L_g为2μm时,在V_D为0.5 V,V_G为0 V时,InAs、InSb和InAsSb三种器件的最大漏极电流分别为275 mA/mm、420 mA/mm和352.49 mA/mm,为后续的... 

【文章来源】：西安电子科技大学陕西省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：139 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

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本文编号：3562480