ITZO基薄膜晶体管的研制

发布时间：2024-02-27 03:07

　　现代显示技术在飞速发展,人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高,所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的最新型薄膜晶体管(TFT)是铟镓锌氧(In Ga Zn O、IGZO)TFT,其中In元素提高材料中的电子浓度,Ga元素降低材料中的电子浓度,迁移率可达10 cm²/Vs以上。为了获得更高迁移率的TFT,我们将Ga元素替换为Sn元素,在保证原子最外层轨道半径差不多的情况下,不对电子浓度进行进一步抑制,仅靠Zn元素控制材料中的电子浓度,制作了铟锡锌氧(In Sn Zn O、ITZO)TFT。之后对材料进行Li元素掺杂,增强材料对氧的亲和性,适量减少薄膜中的氧空位,制作了锂掺杂的铟锡锌氧(In Sn Zn O:Li、ITZO:Li)TFT。最后,进行更进一步的尝试,将Li掺杂改为直接替换Zn为Ga,进一步减少了薄膜中的氧空位,制作了铟镓锡氧(In Ga Sn O、IGTO)TFT。主要研究内容如下:(1)采用磁控溅射制备了In_0.13Sn_0.01Zn_1.0O、In_0.34...

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【部分图文】：

图1-1TFT-LCD单像素的等效电路图

引言11引言1.1薄膜晶体管的应用进入21世纪，新型显示技术成为继软件、集成电路之后的电子信息产业的核心技术,是战略性高新科技的基础和最具活力的电子信息产业[1]。平板显示技术目前分为液晶显示（LCD）、等离子体显示（PDP）、有机发光二极管显示（OLED）、量子点显示（QLED....

图1-2AMOLED单像素的等效电路图

北京交通大学博士毕业论文2图1-2AMOLED单像素的等效电路图Figure1-2theequivalentcircuitofasub-pixelofAMOLED上图是有源矩阵驱动有机发光二极管显示（AMOLED）的单像素简化等效驱动电路，与TFT-LCD驱动电路的区别在于它是2....

图2-1ITZO薄膜晶体管的结构示意图

北京交通大学博士毕业论文10图2-1ITZO薄膜晶体管的结构示意图Figure2-1thestructurediagramoftheITZOTFTs首先，我们采用磁控溅射法在Si/SiO2基底上制备薄膜晶体管的ITZO有源层，Si基底为重度P型掺杂，SiO2是用热氧化法生长在Si....

图2-2不同有源层厚度的In0.13Sn0.01Zn1.0OTFT器件输出曲线：（a）10nm、（b）20nm、（c）30nm、（d）40nm、（e）50nmFigure2-2theoutputcurvesoftheIn0.13Sn0.01Zn1.0OTFTswithdifferentthicknessoftheactivelayer:(a)10nm,(b)

ITZO薄膜晶体管的制备与研究11图2-2不同有源层厚度的In0.13Sn0.01Zn1.0OTFT器件输出曲线：（a）10nm、（b）20nm、（c）30nm、（d）40nm、（e）50nmFigure2-2theoutputcurvesoftheIn0.13Sn0.01Zn1....

本文编号：3912283