忆阻神经网络的鲁棒同步及其控制研究

发布时间：2024-02-28 23:44

　　1971年蔡少棠教授首次提出忆阻器的概念,2008年HP实验室基于TiO2研制出实际的忆阻器件。忆阻器(Memristor)被认为是除电阻器(Resistor)、电容器(Capacitor)和电感器(Inductor)外的第四种电子基本元件。当神经元突触由忆阻器构成时,该类型网络称为忆阻神经网络(Memristor based Neural Networks)。本文以时滞忆阻神经网络为研究对象,针对网络的鲁棒同步控制问题进行了研究。由于忆阻神经网络具有右端不连续特性,本文采用微分包含和集值映射理论,在Filippov右端不连续非线性理论框架下探讨了忆阻神经网络的鲁棒渐近同步、指数同步和自适应同步问题。以下是本文的主要研究内容和取得的创新性成果:(1)针对大部分文献中的忆阻神经网络中驱动系统与响应系统完全相同或者对称的问题,考虑到实际情况将强失配特性引入到驱动和响应系统模型中,包括参数失配和时变时滞失配两种情况。此外设计了 pinning控制器实现所有节点的一致渐近鲁棒同步。误差系统的的收敛性充分条件通过李雅普诺夫函数方法给出。最后通过数值模拟验证了所得结论的正确性和有效性。(2)本章考...

【文章页数】：105 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

图１－１忆阻器电流／电压关系曲线??

Ｉ１?（ｍｅｍｒｉｓｔｏｒ），它可以描述电??荷和磁通量之间的关系。就像电阻能够表示电压和电流的关系，电容能够描??述电荷与电压之间的关系以及电感可以表示磁通量与电荷之间的关系一样。??蔡少棠教授证明了忆阻器不能够由其他三种基本元件来实现，一个忆阻单元??大致需要２５个晶体管来模....

图１－２忆阻器物理结构??忆阻器可以被看成是一个动态电阻且其阻值依赖于施加的总电荷

?忆阻神经网络的鲁棒同步及其控制研究???哥雜??＾?■??钥电扱四齡＠丨雜雖固祐电扱???＿ｊｉ〇ｙＪ｜??Ｕ＿心?＿Ｊ??图１－２忆阻器物理结构??忆阻器可以被看成是一个动态电阻且其阻值依赖于施加的总电荷。它在??生产工艺上可以被排列为交叉阵列，其中每个忆阻器占用极小的单元，....

图１－３基于忆阻器的神经网络突触??

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图２－１忆阻神经网络电路系统??图２－１中７？，和Ｃ，表示电阻和电容，和是忆阻器；／；和＆是放大??

?北京科技大学博士学位论文???２系统描述和预备知识??２．１忆阻神经网络基本模型??传统的神经网络电路一般使用电阻Ｂ、电容Ｃ和电感Ｌ等元器件来构建??神经网络中的相关部件和功能。因为忆阻器在模拟神经突触和自学习方面具??有特殊的优势，所以越来越多的研究人员对此领域表现出了极大的....

本文编号：3914156