半导体光电是核心_【半导体光电杂志】半导体光电杂志社
本文关键词:半导体光电杂志,由笔耕文化传播整理发布。
半导体光电杂志基础信息:
《半导体光电》杂志是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术,以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告,介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件,报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
半导体光电杂志栏目设置:
本刊主要栏目:动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。
半导体光电杂志订阅方式:
ISSN:1001-5868,CN:50-1092/TN,地址:重庆市南坪花园路14号44所内,,邮政编码:400060。
半导体光电杂志社相关期刊半导体光电杂志社投稿信息 1.来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼,每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者(一般为导师)简介(包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向),在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金(编号)资助,没有的不注明。
2.论文摘要尽量写成报道性文摘,包括目的、方法、结果、结论4方面内容(100字左右),应具有独立性与自含性,关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词(3~5个)。
3.文稿篇幅(含图表)一般不超过5000字,一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写,正、斜体,黑、白体,上下角标应区别明显。
4.文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅,图像要清晰,层次要分明。
5.参考文献的著录格式采用顺序编码制,请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的,请采用脚注方式标明,参考文献不少于3条。
6.来稿勿一稿多投。收到稿件之后,5个工作日内审稿,电子邮件回复作者。重点稿件将送同行专家审阅。如果10日内没有收到拟用稿通知(特别需要者可寄送纸质录用通知),则请与本部联系确认。
7.来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议,稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改,杂志一个版面2500字,二个版面5000字左右。作者需要安排版面数,出刊日期,是否加急等情况,请在邮件投稿时作特别说明。
8.请作者自留备份稿,本部不退稿。
9.论文一经发表,赠送当期样刊1-2册,需快递的联系本部。
10.请在文稿后面注明稿件联系人的姓名、工作单位、详细联系地址、电话(包括手机)、邮编等信息,以便联系有关事宜。 半导体光电杂志社编辑部征稿
波导微环共振滤波器的滤波特性分析
SOI基可变光学衰减器的回波损耗研究
双层异质结器件载流子复合位置的研究
用于红外单光子探测的APD二次封装技术
Si基Ge量子点光电探测器的研究
GaN基MSM结构紫外探测器光响应特性
两基色白光LED的光视效能的研究
1.55μmDFBLD光栅结构的优化设计
用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管
Er3+/Yb3+共掺磷酸盐光纤放大器增益分析新模型
光伏型光电探测器漂移-扩散模型的改进
集成光波导微应力传感器研究
数字光电耦合器隔离性能及动态特性测试仪
MEMS封装用局部激光键合法及其实现
InGaAs/InAlAs盖帽层对InAs自组装量子点发光性质的影响
超晶格量子阱的沟道效应与光学双稳态效应
掺锑二氧化锡薄膜的喷雾热解法制备与热处理
铟对GaN基激光器晶体质量的影响
Ag/S/C共掺杂纳米TiO2的制备与光催化活性
可溶性PMOTOPV的合成及其光致发光性能
二次退火对p型GaN的应变影响
圆片直接键合界面表面能测试研究
本文关键词:半导体光电杂志,由笔耕文化传播整理发布。
本文编号:155645
本文链接:https://www.wllwen.com/wenshubaike/bhzz/155645.html