TK固体电子学研究与进展杂志社编辑部

发布时间：2016-05-16 08:01

  本文关键词：固体电子学研究与进展杂志，由笔耕文化传播整理发布。

固体电子学研究与进展杂志社/杂志简介 《固体电子学研究与进展》1981年创刊，是南京电子器件研究所主办的全国性学术期刊（双月刊），向国内外公开发行。办刊宗旨是面向21世纪固体物理和微电子学领域的创新性学术研究。刊登的内容为：无机和有机固体物理、硅微电子、射频器件和微波集成电路、微机电系统（MEMS）、纳米技术、固体光电和电光转换、有机发光器件（OLED）和有机微电子技术、高温微电子以及各种固体电子器件等方面的创新性科学技术报告和学术论文，论文和研究报告反映国家固体电子学方面的科技水平。 固体电子学研究与进展收录情况/影响因子 国家新闻出版总署收录　维普网、万方数据库、知网数据库、化学文摘（网络版）、文摘与引文数据库收录

1、中文核心期刊：

1992-2011年连续6届中文核心期刊（中文核心期刊(1992)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011)）

2、CSCD中国科学引文数据库来源期刊（2013-2014年度）（含扩展版）

3、数据：MARC数据、DC数据

4、图书馆藏：国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏

5、影响因子：

截止2014年万方：影响因子：0.182；总被引频次：191

截止2014年知网：复合影响因子：0.259；综合影响因子：0.174

6、固体电子学研究与进展杂志荣誉：

中国期刊方阵双效期刊

江苏省第六届优秀期刊

工信部09-10年期刊编辑质量优秀奖

信息产业部2001-2002年优秀期刊 固体电子学研究与进展栏目设置 器件物理、射频器件与电路、微电子学、光电子学、半导体材料。 固体电子学研究与进展编辑部/杂志社投稿须知 1、来稿要求主题突出，论据充分，内容新颖、创新、实用。来稿采用A4幅面，5号字体，每页40行，每行大约39个汉字，来稿控制在6页以内。建议作者同时介绍一下论文的工作背景、原创性、先进性与指导意义。

2、标题（中、英文对照）：中文标题控制在20个汉字以内；英文标题最多为400个字符。

3、作者姓名（中文、汉语拼音对照）：作者姓名汉语拼音的写法为姓在前、名在后，姓氏的全部字母均大写，名字的首字母大写。

4、作者单位（中、英文对照）：作者单位需给出所有作者的工作单位全称、所在省、市及邮政编码，英文部分还应在邮编之后加上国别代码“CHN”。

5、摘要（中、英文对照）：摘要应能反映文章主要内容，应能给读者关于文章内容的足够信息，它包括研究的目的、方法、结果和结论。有关论文的背景信息、作者过去的研究及将来的计划和工作意义都不应在摘要中出现。中文摘要不超过300个汉字；英文摘要不超过150个单词（含介词），不出现“Itisreported，Extensiveinvestigotionshowsthat…”词句。

6、关键词（中、英文对照3-8个）：中文关键词应使用中文全称，尽量不采用英语缩略语。中、英文各关键词之间用分号隔开。在中、英文关键词的下方分别给出论文的中图分类号与EEACC(或PACC)。

7、基金项目：在正文首页下方，按照国家有关部门规定的正式名称写明基金项目，并在圆括号内注明其项目编号。多项基金项目应依次列出，其间用分号隔开。

8、联系作者：在正文首页下方，给出第一作者或联系人的E-mail，如第一作者为研究生，宜将导师作为联系人。

9、插图与表格：应安排在文中的相应位置，图表均应清晰可辨。图题、表题需中、英文对照，图、表内的中文词均改为英文，插图希控制在10幅以内。

10、参考文献：按文中引用次序排列（引用处应加上角码（[]），按GB/T7714-2005著录，顺序为：

a.期刊：作者.篇名（文题）[J].期刊名称，出版年；卷号（期号）：起止页

b.专著：作者.书名[M].出版地：出版者，出版年；起止页

c.会议录、论文集：作者.文题[C].文集编者.会议录或论文集名，出版地：

出版者，出版年；起止页

d.学位论文：作者.文题[D].学位授予单位，编号或缩微制品序号，年份

文献中作者项：姓在前、名在后，去缩写点；3人以下应全列出，4人以上则只列出3人后再加上“等”（etal.）。

11、作者简介：文稿最后应有作者简介及电子版照片（限3位），内容包括：姓名、性别、出生年月、职称或职务、学历、现从事何种研究。

12、文稿中使用的名词术语、符号、计量单位要前后一致，符合国家有关标准（SI单位）。文中专业符号、大小写、英文与希腊文和正、斜体都要标写清楚，用作上下角的字母、数码和符号，其高低层次分明。

13、来稿不得涉及国家机密，涉及者应有单位证明。来稿请写明详细地址（邮政编码）及联系人和电话号码，有电子邮件信箱的也请留下信箱地址。来稿切勿一稿多投。来稿无论录用与否，本刊均会通知作者。

14、为适应我国信息化建设，扩大本刊及作者知识信息交流渠道，本刊已被《中国学术期刊网络出版总库》及CKNI系列数据库收录，其作者文章著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。免费提供作者文章引用统计分析资料。如作者不同意文章被收录，请在来稿时向本刊说明，本刊将作适当处理。 固体电子学研究与进展同类优质期刊(排名不分先后)

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4.什么是国家级、省级、核心期刊

答:“国家级”期刊，即由党中央、国务院及所属各部门，或中国科学院、中国社会科学院、各民主党派和全国性人民团体主办的期刊及国家一级专业学会主办的会刊。“省级”期刊即由各省、自治区、直辖市及其所属部、委办、厅、局主办的期刊以及由各本、专科院校主办的学报（刊）。核心期刊是学术界通过一整套科学的方法，对于期刊质量进行跟踪评价，并以情报学理论为基础，将期刊进行分类定级，把最为重要的一级称之为核心期刊。

5.一般多长时间能够发表？

答:根据客户的要求和选择的期刊类型不同，而且编辑部也有审稿、发稿等时间安排，《中外文摘》一般是1－4个月见刊，不排除有更长久的时间，建议有需求的用户一般提前2个月就开始提交业务比较理想。

6.我可以随时跟踪进展情况吗？

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7.是否可以真的做到100%发表？

答:一般来说，可以做到98%以上准时发表，如果编辑手里需要发表的文章已经比较多的时候，就会推迟一些。如果稿件质量确实较差，我们的专业老师会帮助你修改一下。该期刊特别忙的话，在征得客户你的同意后，可以免费更换到同级的期刊发表。

8.可以通过那些方式付款？

答:目前，我们支持工商银行、建设银行、农业银行、中国银行、邮政储蓄等银行的柜台汇款；网银在线付款；支付宝、淘宝在线付款；企业的对工帐户付款。我们的法人代表是“任本芬”、对工帐户是“四川博文网络科技有限责任公司”，有疑问请联系投诉与建议中心杨老师：13378216660。

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《固体电子学研究与进展》论文发表范例  InP基RTD特性的数值模拟研究王伟 孙浩 孙晓玮 徐安怀 齐鸣 (317)
增强型GaN绝缘栅HEMT线性电荷控制解析模型卢盛辉 杜江锋 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨谟华 (323)
薄硅层阶梯埋氧PSOI高压器件新结构吴丽娟 胡盛东 张波 李肇基 (327)
超结硅锗功率二极管电学特性的研究马丽 高勇 王冬芳 张如亮 (333)
TaON界面层Hf基高κ栅介质Ge MOS电容特性研究邹晓 徐静平 张雪峰 (338)
非对称量子点中强耦合磁极化子的性质王贵文 肖景林 (342)
双量子环的隧穿电导和隧穿磁电阻杜坚 王素新 (346)
栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响恩云飞 何玉娟 罗宏伟 潘金辉 肖庆中 (350)
UTC-PD和RTD单片集成的器件模拟研究毛旭瑞 刘庆纲 宋瑞良 毛陆虹 郭维廉 (353)
一种基于微结构的GaAs HEMT的压阻系数侯婷婷 薛晨阳 刘国文 贾晓娟 谭振新 张斌珍 刘俊 (358)
电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响田野 石瑞英 龚敏 何志刚 蔡娟露 温景超 (362)
应变Si（1-x）Gex（001）空穴有效质量各向异性周春宇 刘超 宋建军 (366)
LDMOSFET电热耦合解析模型孙晓红 戴文华 严唯敏 陈强 高怀 (370)
压电基片上集成微通道数字微流体微混合器研究章安良 叶丽军 费景臣 (377)
U波段小数分频锁相环型频率综合器阴亚东 郭桂良 高海军 杜占坤 陈杰 (382)
低抖动时钟锁相环的一种优化设计方法尹海丰 毛志刚 (387)
基于LTCC的Ka波段带通滤波器的设计李殷乔 纪建华 费元春 周建明 (392)
应用于无线传感网络的2.4GHz低噪声放大器路守领 韩科锋 姜祁峰 王俊宇 (396)
便携式UHF RFID阅读器中发射前端电路设计徐萍 何伟 张润曦 马和良 赖宗声 (402)
UHF RFID阅读器中低噪声△Σ小数频率综合器的设计何伟 徐萍 张润曦 石春琦 张勇 陈子晏 赖宗声 (408)
一种基于0.13μm CMOS工艺的10位SAR A/D转换器佟星元 杨银堂 肖艳 朱樟明 陈剑鸣 (413)
基于分形IP核的平板显示控制器设计与应用徐美华 冉峰 陈章进 (418)
高动态范围多功能快照式红外读出电路设计胡滨 赵玉江 李平 阮爱武 沈科 (425)
一种1.5V 8.3×10^-6/℃数字控制型CMOS带隙基准电压源邹亮 唐长文 (431)
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现韩成功 郭清 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤 (436)
一种新的四模式电荷泵电路的设计与实现黄振杰 邓婉玲 黄君凯 (441)
一种高效单相电源Ⅰ类线性音频功放的设计杨姗姗 冯勇 洪志良 刘洋 (446)
一种低功耗嵌入式14位400MHz数模转换器李亮 张惠国 陈珍海 (453)
低DNL的SAR型模数转换器的设计裴晓敏 (458)
锯齿型单壁碳纳米管的光电性质田红灯 王利琴 王利光 K．Tagami M．Tsukada (159)
量子阱激光器的阈值电流与腔长关系段天利 崔碧峰 王智群 沈光地 (165)
GaN HFET中的耦合沟道阱薛舫时 (169)
纳米双栅MOS器件的二维量子模拟王豪 王高峰 常胜 黄启俊 (174)
叠层高k栅介质中远程界面粗糙散射的理论模型张雪锋 邱云贞 张振娟 陈云 黄静 王志亮 徐静平 (180)
量子环终端布局对自旋输运的影响杜坚 (184)
量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性乌云其木格 王晓昱 额尔敦朝鲁 (188)
MOSFET集约模型的发展伍青青 陈静 罗杰馨 肖德元 王曦 (192)
一种联合设计的宽带天线-滤波器模块周杰美 王俊 王卫东 (199)
一种宽带正交振荡器中子频带的精确设计方法潘杰 杨海钢 杨立吾 (204)
MMIC用NiFe-SiO_x磁性金属颗粒膜电感研究孔岑 李辉 张万里 陈辰 陈效建 (208)
高性能U波段砷化镓体效应二极管 张晓 邓衍茂 张蕾 李熙华 王海涛 刘萍 钱刚 (212)
高线性度PHEMT达林顿放大器李晓倩 钱峰 郑远 (218)
全集成低噪声CMOS宽带分数分频频率综合器柴路 闵昊 (222)
CMOS宽带可编程增益低噪声放大器周春媛 闵昊 (228)
单片CMOS UHF RFID阅读器中低噪声LC VCO的设计 何伟 徐萍 张润曦 张勇 李彬 陈子晏 马和良 (234)
一种新型大功率同轴Wilkinson功分器的研制王甲誉 李国民 刘新良 (240)
宽带基片集成裂缝波导空间功率合成器骆新江 官伯然 陈宏江 吴景峰 (244)
双频带通滤波器的优化设计孟令琴 (247)
UHF RFID阅读器中优化小数频率综合器设计张润曦 何伟 石春琦 赖宗声 (251)
Double RESURF nLDMOS功率器件的优化设计朱奎英 钱钦松 孙伟峰 (256)
采用有限状态机控制的升降压双通路高效率电荷泵张杰 殷亮 潘姚华 严冬勤 吴晓波 (262)
与工艺、电源电压和温度无关的低功耗振荡环设计刘祥昕 李文宏 (269)
同步整流降压型DC-DC过零检测电路的设计王辉 王松林 来新泉 郭宝龙 牟在鑫 (276)
一种新的应用于降压式DC-DC变换器电流采样电路的设计皮常明 徐翊华 周文君 王晓南 李文宏 (281)
单片集成直流-直流转换器的效率提高方法倪金华 洪志良 刘洋 (287)
氮化镓功率半导体器件技术张波 陈万军 邓小川 汪志刚 李肇基 (1)
锑化物超晶格红外探测器的研究进展李彦波 刘超 张杨 赵杰 曾一平 (11)
RTD表观正阻与串联电阻非本征双稳态的相关性 郭维廉 王伟 刘伟 李晓云 牛萍娟 梁惠来 张世林 (18)
新结构InGaP／GaAs／InGaPDHBT生长及特性研究艾立鹍 徐安怀 孙浩 朱福英 齐鸣 (23)
BSIM4和ULTRA—BULK模型对称性和连续性的检验李博 牛旭东 宋岩 何进 林信南 (27)
应变Si／SiGe沟道功率UMOSFET的模拟分析胡海帆 王颖 程超 (32)
0．6μmMOS器件稳态总剂量损伤效应研究罗尹虹 郭红霞 张凤祁 姚志斌 何宝平 岳素格 (37)
变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计郭宇锋 王志功 管邦虎 (42)
电子束辐射对LED发光性能的影响于莉媛 王凡 牛萍娟 许文翠 李晓云 唐卫东 杨斌 (47)
156GHz0．15μmGaAs Metamorphic HEMT器件研制康耀辉 高建峰 黄念宁 陈堂胜 (51)
15～17GHz高精度单片数控移相器的研制潘晓枫 沈亚 洪伟 (54)
一种砷化镓HBT高速预分频器的设计瞿小峰 陆科杰 栗成智 隋文泉 (59)
基于雪崩三极管的高重频高稳定度脉冲源研究 袁雪林 张洪德 徐哲峰 丁臻捷 俞建国 浩庆松 曾搏 (64)
内置驱动器的六位GaAsPHEMT宽带单片数控衰减器李娜 许正荣 李晓鹏 陈新宇 (69)
基于神经网络的RFMEMS移相器面向设计参数建模杨国辉 吴群 傅佳辉 孟繁义 张狂 (73)
11．25°毫米波数字移相器的设计刘玥玲 杨永辉 周邦华 (80)
低功耗宽带CMOSLC—VCO设计肖时茂 马成炎 叶甜春 (85)
一种带有升压电路的0．5V3GHz低功耗LCVCO设计周海峰 韩雁 董树荣 韩晓霞 王春晖 (90)
2．4GHz可变增益CMOS低噪声放大器设计丘聪 叶甜春 范军 (94)
有孔圆柱介质谐振频率的自动测试方法肖芬 彭浪 刘同赞 林贤体 (98)
连续时间型∑△调制器的系统级设计和建模方法张翼 叶天凤 洪志良 刘洋 (102)
2．5W低噪声CMOSD类音频功放设计黄武康 周长胜 袁国顺 赵海亮 (108)
10bit20MS／s流水线模数转换器设计卫宝跃 周玉梅 范军 胡晓宇 陈利杰 (114)
千兆比特数据率LVDS接口电路设计矫逸书 周玉梅 蒋见花 (119)
锁相环中电荷泵的分析与设计马辰光 冯军 (124)
应用于PWM降压DC—DC变换器的高性能误差放大器王佳 魏廷存 郑然 高武 高德远 (129)
一种用于LED驱动的高效电荷泵电路的设计尚林林 杨红官 郭友洪 (134)
一种用于高精度跟踪型RDC的压控振荡器徐大林 罗佳亮 廖良闯 黄庆安 (139)
基于结终端扩展的4H—SiC肖特基势垒二极管研制张发生 李欣然 (146)
引入基态施主能级分裂的SiC基MOS电容模型戴振清 杨瑞霞 (150)
泡显影液法T—TOP剥离工艺研究彭劲松 黄念宁 陈堂

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