SiC专刊征稿启事

发布时间：2017-06-01 22:10

  本文关键词：SiC专刊征稿启事，由笔耕文化传播整理发布。

【摘要】：正电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升,并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅(SiC)作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。与传统的硅材料器件相比,SiC器件可减少能耗75%,大幅降低设备成本并提高系统可靠性,可广泛应用于国民经济的各个领域。
【作者单位】： 《大功率变流技术》编辑部;
【关键词】： 载流子漂移速度;临界击穿电场;电力电子技术;半导体材料;高热导率;电力电子器件;设备成本;SiC;器件技术;系统可靠性;
【分类号】：+
【正文快照】： 电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升,并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅(Si C)作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料,具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。与传统的硅材料器件相比,Si C器件可减少能

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1 马稚尧,史济群;半导体中载流子漂移速度与任意场强的一种解析关系[J];华中工学院学报;1987年03期

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本文编号：413587