TD微纳电子技术杂志社编辑部

发布时间：2016-05-04 06:02

  本文关键词：微纳电子技术杂志，由无忧论文网整理发布。

微纳电子技术杂志社/杂志简介 《微电子技术》（月刊）曾用刊名：（半导体情报）1964年创刊，以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体。

《微电子技术》通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成果展示、转化和技术交流的平台。 微纳电子技术收录情况/影响因子 国家新闻出版总署收录　维普网、万方数据库、知网数据库、文摘杂志、化学文摘（网络版）、剑桥科学文摘、剑桥科学文摘社ProQeust数据库、物理学、电技术、计算机及控制信息数据库收录

1、北大核心期刊：

2008-2011年连续2届北大核心期刊（北大2008版核心期刊、北大2011版核心期刊）

2、数据：MARC数据、DC数据

3、图书馆藏：国家图书馆馆藏、上海图书馆馆藏

4、影响因子：

截止2014年万方：影响因子：0.248；总被引频次：342

截止2014年知网：复合影响因子：0.443；综合影响因子：0.226

5、微纳电子技术杂志荣誉：

2002-2003和2003-2004年度，均获信息产业部电子科技期刊编辑质量优秀奖

2005-2006年度获信息产业部电子科技期刊学术技术水平优秀奖

中国学术期刊执行（光盘版）检索与评价数据规范优秀期刊

2007-2008年度又荣获工业和信息化部电子科技期刊学术技术水平优秀奖 微纳电子技术栏目设置 专家论谈、纳米器件与技术、纳米材料与纳料结构、MEMS器件与技术、显微、测量、微细加工技术与设备、企业与人物追踪、业界快讯。 微纳电子技术编辑部/杂志社投稿须知 1、来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼，每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者（一般为导师）简介（包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向），在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金（编号）资助，没有的不注明。

2、论文摘要尽量写成报道性文摘，包括目的、方法、结果、结论4方面内容（100字左右），应具有独立性与自含性，关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词（3～5个）。

3、文稿篇幅（含图表）一般不超过5000字，一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写，正、斜体，黑、白体，上下角标应区别明显。

4、文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅，图像要清晰，层次要分明。

5、参考文献的著录格式采用顺序编码制，请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的，请采用脚注方式标明，参考文献不少于3条。

6、来稿勿一稿多投。收到稿件之后，5个工作日内审稿，电子邮件回复作者。重点稿件将送同行专家审阅。如果10日内没有收到拟用稿通知（特别需要者可寄送纸质录用通知），则请与本部联系确认。

7、来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议，稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改，杂志一个版面2500字，二个版面5000字左右。作者需要安排版面数，出刊日期，是否加急等情况，请在邮件投稿时作特别说明。

8、请作者自留备份稿，本部不退稿。

9、论文一经发表，赠送当期样刊1-2册，需快递的联系本部。

10、请在文稿后面注明稿件联系人的姓名、工作单位、详细联系地址、电话（包括手机）、邮编等信息，以便联系有关事宜。 微纳电子技术同类优质期刊(排名不分先后)

学术杂志网是专业学术杂志网站。历经7年多的发展与广大会员的积极参与,现已成为全国会员最多、口碑最好的杂志介绍网站。先后3余次荣膺各类媒体的好评和推荐，并在2007年获得了中国最佳商业网站排行榜六强的荣誉称号。

《学术杂志网》杂志发表公告：
    1、审稿快：《微纳电子技术杂志》内部审稿通道为1-7天，大大缩短了投、审、刊的时间；
    2、发刊快：凡是在本站编辑部投稿并确定录用的稿件，可享受1-4个月见刊；
    3、沟通好：专业老师对你的稿件编辑情况、排刊情况、见刊情况进行及时沟通；
    4、有保障：有专业的专家教授团队，为您免费修改需要返修的《微纳电子技术》论文；
    5、送期刊：凡是在本站投稿的作者，均可免费获得《微纳电子技术》杂志一本；
    6、团购大优惠:一次性发表3篇以上的文章，均可获得团购特别优惠活动，有需要的朋友请点击右栏客服老师具体咨询；
    7、我们还可以为你提供CNKI反抄袭检测、写作辅导、继教学分、著书代理、英文翻译等服务。

《学术杂志网》杂志发表声明:
    1.《微纳电子技术杂志》为国家承认、正规、合法、双刊号期刊
    2.中国期刊网: 可查询，并全文收录
    3.国家新闻出版总署: 可查询，收录期刊
    4、本站只收取最低限度的中介服务费，以维持网站正常运转，如果还有比本站价格更低，且能成功发表的，一周之内可以退出多收款项。
    5、本站投稿成功率高，没有成功发表的全额退还一切费用。

《学术杂志网》期刊发表流程:
    1.提出发表要求 → 2.报价及推荐刊物→ 3.支付服务费订金 → 4.发送材料经您确定 → 5.审稿并推荐发表 → 6.编辑部发通知书 → 7.最终确定发表 → 8.编辑部寄样刊

1.《微纳电子技术杂志》价格能不能更便宜一些？

答:由客户确定类型，由本站为客户根据期刊排版日期、收费情况来推荐给客户，价格可以适当下调，并且出稿的速度会更快。

2.发表的信用有保证吗？

答:学术杂志网建站7年以来，各方面取得了非常的业绩，开通了支付宝信认商家服务，可以担保交易；网银在线支付是首批2005年用户；所有的银行卡号都是2004年注册的；付款可以支付到对工帐户(工商银行)。如果有欺骗行为，所有的收款方式都早就被注销了。

3.你们的网站有退款服务吗？

答:请客户保留汇款凭证。由本站发表的文章，如果没有按期发表，由本站全额退还客户支付的费用。

4.什么是国家级、省级、核心期刊

答:“国家级”期刊，即由党中央、国务院及所属各部门，或中国科学院、中国社会科学院、各民主党派和全国性人民团体主办的期刊及国家一级专业学会主办的会刊。“省级”期刊即由各省、自治区、直辖市及其所属部、委办、厅、局主办的期刊以及由各本、专科院校主办的学报（刊）。核心期刊是学术界通过一整套科学的方法，对于期刊质量进行跟踪评价，并以情报学理论为基础，将期刊进行分类定级，把最为重要的一级称之为核心期刊。

5.一般多长时间能够发表？

答:根据客户的要求和选择的期刊类型不同，而且编辑部也有审稿、发稿等时间安排，《中外文摘》一般是1－4个月见刊，不排除有更长久的时间，建议有需求的用户一般提前2个月就开始提交业务比较理想。

6.我可以随时跟踪进展情况吗？

答:当然，我们的每一位客户，都会分配一名专职的客服经理为你全程负责，随时通报进展情况。

7.是否可以真的做到100%发表？

答:一般来说，可以做到98%以上准时发表，如果编辑手里需要发表的文章已经比较多的时候，就会推迟一些。如果稿件质量确实较差，我们的专业老师会帮助你修改一下。该期刊特别忙的话，在征得客户你的同意后，可以免费更换到同级的期刊发表。

8.可以通过那些方式付款？

答:目前，我们支持工商银行、建设银行、农业银行、中国银行、邮政储蓄等银行的柜台汇款；网银在线付款；支付宝、淘宝在线付款；企业的对工帐户付款。我们的法人代表是“任本芬”、对工帐户是“四川博文网络科技有限责任公司”，有疑问请联系投诉与建议中心杨老师：13378216660。

因篇幅限制，更多问题请进入专题了解>>

学术杂志网有投稿合作的均为正规期刊的编辑部，可在新闻出版总署网站查询到相关投稿信息。本站以7年相关经验，帮助选择最适合的正规杂志社发表论文，以最快的速度达到客户最满意的效果。

在线咨询：

《微纳电子技术》论文发表范例 1.石墨烯基电子学研究进展    袁明文
2.利用共振隧穿器件制作太赫兹波源    郭维廉，牛萍娟，李晓云，谷晓，何庆国，冯志红，田爱华，张世林，，毛陆虹
3.Si衬底GaN外延材料六角形缺陷分析    尹甲运，刘波，王晶晶，周瑞，李佳，敦少博，冯志红
4.Bi3.5Yb0.5Ti3O12铁电薄膜的制备及性能    成传品，邓永和，戴雄英，肖刚
5.HVPE法制备GaN过程中GaAs衬底的氮化    张嵩，杨瑞霞，徐永宽，李强
6.电磁MEMS在流体控制中的应用    钱吉胜，沙莎，陈志华，易文俊
7.Si-玻璃阳极键合失效机理研究    毋正伟，陈德勇，夏善红
8.二维变形方波微混合器混合效果    张芹，游炜臻，林耿锐
9.一种基于BCB键合技术的新型MEMS圆片级封装工艺    何洪涛
10.干涉空间相位光刻对准方法研究    马平，胡松，周绍林，徐文祥
11.锥形光纤与楔形光纤的耦合    杨修文
12.pH值调节剂对Si片CMP速率的影响    杨金波，刘玉岭，刘效岩，胡轶，孙鸣
13.半导体工艺线CAM及SPC的应用    李保第，刘福庆，李彦伟，杨中月，胡玲，崔玉兴，付兴昌
1.纳米级SET/CMOS混合器件的研究进展    冯朝文，蔡理，张立森，Feng Chaowen，Cai Li，Zhang Lisen
2.单壁碳纳米管随机网络场效应晶体管    许高斌，王鹏，陈兴，常永嘉，Xu Gaobin，Wang Peng，Chen Xing，Chang Yongjia
3.双功能苯并恶嗪聚合物的制备及抗粘性能研究    曲丽，辛忠，陆馨，董会杰，Qu Li，Xin Zhong，Lu Xin，Dong Huijie
4.SrTiO3枝杈晶的水热法制备与表征    杨琳琳，王永刚，王玉江，韩高荣，Yang Linlin，Wang Yonggang，Wang Yujiang，Han Gaorong
5.石墨上多晶硅薄膜的制备及择优取向的调控    施辉伟，陈诺夫，黄添懋，尹志岗，汪宇，张汉，应杰，Shi Huiwei，Chen Nuofu，Huang Tianmao，Yin Zhigang，Wang Yu，Zhang Han，Ying Jie
6.电动微流体数值模拟研究进展    杨大勇，Yang Dayong
7.压电式微传声器的设计与测量方法的匹配    于留波，赵湛，丁国杰，轩运动，Yu Liubo，Zhao Zhan，Ding Guojie，Xuan Yundong
8.三维物体的重建方法    饶志鹏，刘键，夏洋，Rao Zhipeng，Liu Jian，Xia Yang
9.条纹图像相位提取方法研究    徐锋，胡松，罗正全，周绍林，Xu Feng，Hu Song，Luo Zhengquan，Zhou Shaolin
10.纳米检焦中双相锁相放大器的Simulink建模与仿真    谢飞，唐小萍，胡松，严伟，Xie Fei，Tang Xiaoping，Hu Song，Yan Wei
1.CMOS负阻单元逻辑电路及其发展前景    郭维廉，牛萍娟，李晓云，刘宏伟，谷晓，毛陆虹，张世林，陈燕，王伟，Guo Weilian，Niu Pingjuan，Li Xiaoyun，Liu Hongwei，Gu Xiao，Mao Luhong，Zhang Shilin，Chen Yan，Wang Wei
2.有机半导体器件的现状及发展趋势    陈海明，靳宝善，Chen Haiming，Jin Baoshan
3.光引发碳微球表面接枝聚甲基丙烯酸    刘伟峰，韩艳星，郭明聪，杨永珍，刘旭光，许并社，Liu Weifeng，Han Yanxing，Guo Mingcong，Yang Yongzhen，Liu Xuguang，Xu Bingshe
4.Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜研究进展    陈峰华，张敏刚，柴跃生，张真真，Chen Fenghua，Zhang Mingang，Chai Yuesheng，Zhang Zhenzhen
5.MEMS系统级仿真中的一种变截面梁建模方法    郝星，苑伟政，常洪龙，牛昊彬，焦文龙，Hao Xing，Yuan Weizheng，Chang Honglong，Niu Haobin，Jiao Wenlong
6.基于Allan方差的MEMS陀螺仪性能评价方法    邹学锋，卢新艳，Zou Xuefeng，Lu Xinyan
7.双工件台光刻机中的调平调焦技术    李金龙，赵立新，胡松，周绍林，Li Jinlong，Zhao Lixin，Hu Song，Zhou Shaolin
8.铋基焦绿石薄膜的湿法刻蚀方法研究    高莉彬，李汝冠，蒋书文，李言荣，Gao Libin，Li Ruguan，Jiang Shuwen，Li Yanrong
9.ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用    张力江，幺锦强，崔玉兴，付兴昌，Zhang Lijiang，Yao Jinqiang，Cui Yuxing，Fu Xingchang
10.高密度封装IC的高加速应力试验研究    张善伦，来萍，尧彬，刘建，李斌，Zhang Shanlun，Lai Ping，Yao Bin，Liu Jian，Li Bin
11.大栅宽功率器件的分布性研究    方家兴，胡志富，蔡树军，Fang Jiaxing，Hu Zhifu，Cai Shujun
12.采用SPC技术控制半导体器件的工艺质量    王文君，Wang Wenjun
1.单片集成锁模量子点激光器    姜立稳，叶小玲，王占国，Jiang Liwen，Ye Xiaoling，Wang Zhanguo
2.高性能SiC整流二极管研究    杨霏，商庆杰，李亚丽，闫锐，默江辉，潘宏菽，李佳，刘波，冯志红，付兴昌，何庆国，蔡树军，杨克武，Yang Fei，Shang Qingjie，Li Yali，Yan Rui，Mo Jianghui，Pan Hongshu，Li Jia，Liu Bo，Feng Zhihong，Fu Xingchang，He Qingguo，Cai Shujun，Yang Kewu
3.900 nm三叠层隧道级联激光器的结构优化研究    林琳，陈宏泰，安志民，车相辉，王晶，Lin Lin，Chen Hongtai，An Zhimin，Che Xianghui，Wang Jing
4.纳米线在新型太阳电池中的应用研究    岳会会，贾锐，陈晨，李昊峰，刘新宇，叶甜春，钟圣荣，Yue Huihui，Jia Rui，Chen Chen，Li Haofeng，Liu Xinyu，Ye Tianchun，Zhong Shengrong
5.原位Si掺杂c-BN薄膜的制备及电学性质研究    应杰，范亚明，谭海仁，施辉伟，Ying Jie，Fan Yaming，Tan Hairen，Shi Huiwei
6.立方相SiC MEMS器件研究进展    杨挺，孙国胜，吴海雷，闫果果，宁瑾，赵永梅，刘兴防，罗木昌，王雷，赵万顺，曾一平，Yang Ting，Sun Guosheng，Wu Hailei，Yan Guoguo，Ning Jin，Zhao Yongmei，Liu Xingfang，Luo Muchang，Wang Lei，Zhao Wanshun，Zeng Yiping
7.硅MEMS器件加工技术及展望    徐永青，杨拥军，Xu Yongqing，Yang Yongjun
8.紫外固化真空负压纳米压印系统的研制    段智勇，弓巧侠，罗康，赵立波，张慧敏，王庆康，

[1] [2] 下一页

学术杂志网致力于学术杂志信息整理收录和投稿，我们只协助已经获得授权的杂志社进行征稿（征稿授权和经营许可）。本站非微纳电子技术杂志社编辑部网站，查询稿件的朋友可以直接联系杂志社的编辑部。如果贵杂志社不希望我们收录您的期刊信息，请致电13378216660(8:00-22:00)。 。

    本文地址：

  本文关键词：微纳电子技术杂志，由无忧论文网整理发布。

本文编号：41707