拉扎维的《射频微电子学》（RF Microelectronics）中文版

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拉扎维的《射频微电子学》（RF Microelectronics）中文版

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目录
前言
1. 射频（RF）及无线技术简介
1.1. 复杂性比较
1.2. 设计瓶颈
1.3. 应用
1.4. 模拟与数字系统
1.5. 工艺技术的选择
参考文献
2. RF 设计中的基本概念
2.1. 非线性与时变性
2.1.1. 非线性的影响
2.1.2. 级联非线性级
2.2. 符号间干扰
2.3. 随机过程和噪声
2.3.1. 随机过程
2.3.2. 噪声
2.4. 灵敏度与动态范围
2.5. 无源阻抗变换
参考文献
3. 调制与解调
3.1. 概述
3.2. 模拟调制
3.2.1. 幅度调制
3.2.2. 相位调制与频率调制
3.3. 数字调制
3.3.1. 基本概念
3.3.2. 二进制调制
3.3.3. 正交调制
3.4. 调制技术的功率效率
3.4.1. 等幅包络与变幅包络信号
3.4.2. 频谱再增长
3.5. 非相干解调
参考文献
4. 多址访问技术与无线通信标准
4.1. 移动射频（RF）通信
4.2. 多址访问技术
4.2.1. 时分和频分复用
4.2.2. 频分多址
4.2.3. 时分多址
4.2.4. 码分多址
4.3. 无线通信标准
4.3.1. 先进移动电话服务（ AMPS）
4.3.2. 北美数字标准（NADS）
4.3.3. 移动通信全球系统（GSM）
4.3.4. 高通（Qualcomm）CDMA
4.3.5. 欧洲数字无绳电话（DECT）
参考文献
5. 接收发送器结构
5.1. 概述
5.2. 接收器结构
5.2.1. 外差接收器
5.2.2. 零差接收器
5.2.3. 镜像抑制接收器
5.2.4. 数字中频接收器
5.2.5. 亚采样接收器
5.3. 发送器结构
5.3.1. 直接变换发送器
5.3.2. 两步发送器
5.4. 接收发送器的性能测试
5.5. 实例研究
5.5.1. Motorola 调频接收器
5.5.2. Philips 传呼机接收器
5.5.3. Philips DECT 接收发送器
5.5.4. Lucent（朗讯）GSM 接收发送器
5.5.5. Philips GSM 接收发送器
参考文献
6. 低噪声放大器与混频器
6.1. 低噪声放大器
6.1.1. 概述
6.1.2. 输入匹配
6.1.3. 双极型LNA
6.1.4. CMOS LNA
6.2. 下变频混频器
6.2.1. 概述
6.2.2. 双极型混频器
6.2.3. CMOS 混频器
6.2.4. 混频器中的噪声
6.3. 级联级再讨论
参考文献
7. 振荡器
7.1. 概述
7.2. 基本的LC 振荡器拓扑
7.3. 电压控制（压控）振荡器
7.4. 相位噪声
7.4.1. 相位噪声在射频通信中的影响
7.4.2. 振荡器的Q 值
7.4.3. 相位噪声机制
7.4.4. 噪声－功率折衷关系
7.4.5. 分频与倍频对相位噪声的影响
7.4.6. 振荡器的牵引与推动
7.5. 双极型与CMOS LC 振荡器
7.5.1. 负跨导（Gm）振荡器
7.5.2. 插值振荡器
7.6. 单片集成电感
7.7. 不带谐振腔的压控振荡器（VCO）
7.8. 正交信号产生
7.8.1. RC-CR 网络
7.8.2. Havens 方法
7.8.3. 分频
7.9. 单边带信号生成
参考文献
8. 频率综合器
8.1. 概述
8.2. 锁相环（PLL）
8.2.1. 基本概念
8.3. 基本的锁相环
8.3.1. 电荷泵锁相环
8.3.2. I 型和II 型锁相环
8.3.3. 锁相环中的噪声
8.3.4. 输入端的相位噪声
8.3.5. 压控振荡器的相位噪声
8.3.6. 倍频
8.4. 射频频率综合器结构
8.4.1. 整数－N 结构
8.4.2. 分数－N 结构
8.4.3. 双环路结构
8.4.4. 直接数字频率综合
8.5. 分频器
8.5.1. 二分频电路
8.5.2. 双模分频器
参考文献
9. 功率放大器
9.1. 概述
9.1.1. 线性与非线性功率放大器
9.2. 功率放大器的分类
9.2.1. A 类和B 类功率放大器
9.2.2. C 类功率放大器
9.3. 高效率功率放大器
9.4. 大信号阻抗匹配
9.5. 线性化技术
9.5.1. 前馈
9.5.2. 反馈
9.5.3. 包络消除及恢复
9.5.4. 采用非线性元件的线性放大（LINC）
9.6. 设计实例
参考文献

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2007-1-26 05:15

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