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  本文关键词：半导体理论，由笔耕文化传播整理发布。

半导体理论基础 目录 固体能带理论 半导体材料硅的晶体结构 半导体特性 载流子的复合与寿命 载流子的传输 P-N结二极管性质 硅材料的物理化学特性 固体的能带理论 ――能带的形成 原子中的电子在原子核的势场和其他电子的作用下，它们分别在不同的能级上，形成电子壳层。晶体中，各个原子互相靠的很近，不同原子的内、外壳层都有一定的重叠，电子不在局限在某一个原子中，可以由一个原子转移到相邻的原子上，导致电子共有化运动，结果使孤立原子的单一能级分裂行成能带。 根据电子先填充低能级的的原理，下面的能带先填满电子，这个带被称为价带或满带，上面的未被电子填满的能带或空能带称为导带，中间以仅带相隔。 已被电子填满的能带称为价带 固体的能带理论 ――能带的形成 电子在原子之间的转移不是任意的，电子只能在能量相同的轨道之间发生转移.当电子获得足够能量的时候将越过禁带发生跃迁。 固体的能带理论 ――金属、绝缘体、半导体 固体的能带理论 ――金属、绝缘体、半导体 导体：能带交叠，即使极小的外加能量就会引起导电。 绝缘体：能带间距很大，不可能导电。 半导体：禁带比绝缘体窄很多，部分电子因热运动从价带跳到导带，使导带中有少量电子，价带中有少量空穴，从而有一定的导电能力。 固体的能带理论 ――金属、绝缘体、半导体 物体的导电能力，，一般用材料电阻率的大小来衡量。电阻率越大，说明这种材料的导电能力越弱。 半导体材料硅的晶体结构 硅太阳电池生产中常用的硅（Si），磷（P），硼（B）元素的原子结构模型如下： 半导体材料硅的晶体结构 原子最

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