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真空集成电路有进展吗？

真空集成电路是在９０年代初出现的。

因为在固体中电子的漂移速度最大也不超过热运动速度～107cm/s，所以作为固体器件的晶体管，其频率和速度要受到一定的限制。而真空管内的电子的漂移速度不受到此限制（因为没有晶格振动散射和各种杂质、缺陷的散射），则远高于固体中的速度，从而真空管的频率和速度可以达到远高于晶体管的水平。

真空集成电路充分运用了从硅芯片制作中发展起来的微细精加工技术，把真空三极管和真空四极管加以集成，从而把它们用于因受高频、高温、放射线影响而使半导体集成电路难以发挥作用的场合，，充分发挥了真空管技术的特长。

微型真空管有独特的优点：

①因为电子在真空中的渡越时间很短，则截止频率可以做得很高；

②真空管的微小尖端阴极不需要加热，就能发射电子，并且寿命可长达１０万小时，因此更适合于恶劣环境下的工作；

      ③输出功率比晶体管大得多。

目前发展怎么样了？？有商用器件么

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