基于反铁电薄膜的双稳态MEMS面内驱动器集成技术研究
本文关键词:基于反铁电薄膜的双稳态MEMS面内驱动器集成技术研究
【摘要】:在电场作用下,反铁电薄膜内部晶格发生相变,导致薄膜的体积变化,从而产生较大的非线性双稳态形变,并且相变时间很短。基于反铁电薄膜相变的响应速度快和非线性双稳态应变特性,结合微机电系统(MEMS)加工工艺,可实现反铁电薄膜与硅微器件的技术集成制造,将在大位移、快速响应和双稳态MEMS开关和数字位移型双稳态MEMS驱动器等领域具有应用前景。本论文运用溶胶.凝胶法(Sol-Gel)完成了(Pb0.97La0.02)(Zr0.9Sn0.05Ti0.05)O3 (PLZST)反铁电薄膜的制备,对其微结构进行了表征,并研究了它的相变行为和性能,然后结合MEMS技术设计并完成了反铁电式双稳态MEMS面内驱动器的集成制作,研究分析了该驱动器的运动性能。首先采用磁控溅射法在Si基底上制备了LaNiO3 (LNO)薄膜下电极,电学测试结果表明,LNO薄膜电阻率约为2mΩ·cm,电学性能良好,适合作为电极材料。然后利用溶胶-凝胶法在LNO/Si基底上制备PLZST反铁电薄膜,X射线衍射(XRD)表征结果显示PLZST反铁电薄膜呈钙钛矿相结构,扫描电子显微镜(SEM)观察结果显示PLZST反铁电薄膜表面平整,致密无裂纹。反铁电性能测试结果显示,反铁电薄膜的电场诱导极化曲线均呈双电滞回线,反铁电性能良好。通过溶胶-凝胶法在LNO/Si基底上制备了不同厚度的PLZST反铁电薄膜,所有薄膜均呈(120)的钙铁矿相,随着薄膜厚度的增加,剩余极化强度和介电常数均减小而电荷能量存储密度却增加这表明所有薄膜中同时存在反铁电相和铁电相,且随着厚度的增加,反铁电相逐渐增加而铁电相减少,这是由LNO薄膜约束引起的内在应力释放引起的。结合MEMS加工工艺,研究了PLZST/LNO薄膜的图形化技术,最终完成了反铁电薄膜MEMS驱动器的制作。最后,通过激光多普勒测速和频闪测速技术,测试分析了PLZST反铁电薄膜和PNZT铁电薄膜驱动的MEMS驱动器面外和面内运动情况,实现了具有阶跃性质的电压驱动的非线性双稳态面内位移和线性位移变化。
【学位授予单位】:北方工业大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TB383.2
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,本文编号:1158573
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