形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究

  本文关键词：几种光催化半导体材料的电子结构及相关性质的第一性原理研究，由笔耕文化传播整理发布。

产品名称：形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究
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'形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究一.本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究技术资料》共三张光盘。包含一张pdf图书或相关技术文献光盘（里面有我们独家聘请的相关领域内的技术权威和技术专家专业编写的5本相关技术书籍或技术资料）及二张配套生产技术工艺光盘。联系电话:15095686581。二.本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究》全国范围内可货到付款，默认发顺丰快递。三.本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究》资料包含的5本pdf图书或技术资料目录及摘要如下：1.半导体激光器组件的传热特性与热电控制技术研究【简介】作为一种新型的光源，半导体激光器(LD，Laser Diode)因具有转换效率高、体积小、重量轻、可靠性高、能直接调制及与其它半导体器件集成的能力强等特点，已经越来越广泛地应用于通信、精密测量、材料加工、医疗和军事等领域，其工作稳定性和可靠性在应用系统中起着关键作用。伴随着LD的广泛应用，其热问题一直是人们关注的焦点之一。特别是近年来，LD多以组件的形式生产和封装，封装的趋势更是朝向轻薄短小，这造成器件的发热密度不断提升，，从而对半导体激光器组件的传热特性与热控制技术研究提出了新的要求。为此，本文对半导体激光器组件的传热特性进行了理论分析，并针对目前半导体激光器组件热电控制技术在应用研究中存在的问题，进行了深入系统地研究。论文主要研究工作如下： 1．作为研究半导体激光器组件传热特性与热控制的基础，对热电制冷2.几种光催化半导体材料的电子结构及相关性质的第一性原理研究【简介】光催化在当今环境和能源问题研究领域受到了越来越广泛的重视。TiO2由于具有无毒、稳定、成本低及易合成等优点而成为目前研究和应用最广泛的光催化材料。但是,由于TiO2只能吸收紫外光,而对占太阳光能量43%的可见光没有响应,而且TiO2的光生电子-空穴对容易复合,所以其光催化的量子效率比较低,这大大限制了其大规模的实际应用。为了拓展光催化的应用范围,开发具有高可见光光催化活性的光催化材料,科研工作者进行了大量的研究并取得了一定的进展。近年来,非金属掺杂作为一种拓宽TiO2光响应范围的有效途径之一得到了广泛的研究,比如N掺杂、C掺杂TiO2的太阳光光催化活性可以得到有效的提高。除了非金属掺杂,最近研究者发现了一种新的有效提高TiO2太阳光光催化活性的方法-—氢化。据2011年《科学》杂志报道,氢化使TiO2可见光吸收3.金属表面等离子体增强硅基半导体材料发光【简介】随着建立在硅材料基础上的大规模集成电路的不断发展,过高的互连和集成度带来了信号延迟和器件过热的问题,给以大规模集成电路为代表的微电子工业的持续发展带来了很大的困难,而硅基光电子集成则是解决这一难题的理想途径。但是,高效率的硅基发光材料和器件国际上依然没有解决。而将金属表面等离子体用于增强发光材料和器件量子效率,则是研究的热点。本文将表面等离子体用于提高硅基发光材料和器件的发光效率,不仅在表面等离子耦合发光的机理研究上有重要的理论探索意义,而且在硅基光电子领域有良好的应用前景。本文制备了金属岛膜和核-壳阵列结构,研究了影响其形貌和表面等离子体共振特性的因素,在此基础上将金属银岛膜用于增强硅基ZnO薄膜和富硅氮化硅薄膜的发光强度,并且详细研究了影响材料与表面等离子体耦合发光的因素以及耦合作用机理。取得如下有创新意义4.半导体照明光学系统的设计与仿真【简介】半导体照明已经成为世界上新型照明光源的发展趋势,而高亮度、大功率的发光二极管(LED)更是照明光源中的需求热点。本文主要研究半导体照明中光源模型的构建和照明光学系统的设计,并利用光学机构软件对照明光学系统进行设计与仿真,以此简化系统设计的流程,缩短系统设计的周期。论文分为以下四个部分:首先,简要地介绍了半导体照明技术的历史与发展、LED的原理和关键技术等问题,并阐明了光学仿真在半导体照明光学系统设计中的意义。其次,详细介绍了照明光学系统设计的基本知识、计算机辅助光学设计中光线追迹理论、以及光学机构仿真软件(TracePro和LightTools)的光线追迹和LED建模等方法,并对光源的CAD实体模型、光源的发光特性、光强的空间分布等三个光源建模要素进行深入的剖析。提出了利用光学机构软件进行LED光源建模和照明光5.ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究【简介】稀磁半导体（DMS）能够实现电荷和自旋的同时操纵，可以极大地提高磁存储的传输速率，因而受到了广泛的关注。在本论文中，制备了平衡态生长方式（sol-gel）和非平衡态生长方式（磁控溅射、CVD、PLD）的不同浓度的单掺杂和共掺杂系列ZnO基稀磁半导体样品。主要利用EXAFS和XANES方法结合其它多种实验手段从实验和理论两方面联合研究多种不同方法制备的过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体体系。采用荧光EXAFS方法详细研究不同方法制备的ZnO稀磁半导体中掺杂过渡金属原子在ZnO介质中的局域结构，掺杂原子对于基质中Zn的局域结构的影响。从实验和理论（FEFF8软件包）分析Zn、Co以及O的K边XANES谱，对过渡金属掺杂导致ZnO基稀磁半导体的结构变化，包括键长、空位、间隙以及替代原子的排布方式进行了详细的研究。结合SQU四.本套技术资料包含的两张相关技术配套光盘部分目录如下：[ [0001] 使用压电体的发电方法、发电装置和电子机器[0002] 热电式冷却装置、其所用半导体的制备方法及热电式冷冻机[0003] 用于清洗半导体晶片的装置和方法一个清洗半导体晶片的方法包括将液体放置在槽内并且在液体表面形成一个气—液界面。半导体晶片被放置在槽中以便于它沿通常竖直位置被定向，而且晶片至少有一部分处于液体中并低于气-液界面。声能被引导穿过液体。至少半导体晶片的位置和槽中液体相对于半导体水位这两者之一被变动以使得晶片的整个表面重复穿过气-液界面。[0004] 半导体器件[0005] 带突出电极的电子部件的制造装置和制造方法[0006] 高电迁徒阻力的多层金属化结构及其设计方法[0007] 硅片的制造方法及其装置[0008] 在基片上形成凸起的方法[0009] 一种电介质其制造方法和半导体器件[0010] 半导体器件的制造方法[0011] 半导体器件压触管壳[0012] 由大小均一的金属微珠组成的图形阵列[0013] 恒温电热管[0014] 半导体基片的清洗方法、清洗系统和制造清洗液的方法[0015] 厚膜电阻元件制造方法[0016] 有源矩阵光电器件 [0017] 制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法[0018] 半导体集成电路装置及其制造方法[0019] 半导体器件及其有关集成电路[0020] 丝焊方法半导体器件丝焊的毛细管及球块形成方法[0021] 用于树脂密封半导体器件的引线框和树脂密封半导体器件的制造方法[0022] 用于轴外照明的标度掩模板[0023] 突起形成体及突起的形成方法[0024] 半导体器件及其制造方法[0025] 奇数尼龙高温铁电体的制备方法[0026] 以槽形外壳构件组构的半导体二极管及其封装方法[0027] 半导体晶片边缘检查方法和设备[0028] 射频功率晶体管的布局[0029] 形成半导体器件金属布线的方法[0030] 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件[0031] 使半导体元件免受静电损坏的保护二极管[0032] 具有分级位线结构的半导体存储器件[0033] 半导体腐蚀方法及用该腐蚀方法制造半导体器件的方法[0034] 制造LDD结构的MOS晶体管的方法[0035] 一种半导体器件及其制造工艺[0036] 半导体装置 [0037] 半导体器件及其制造方法[0038] 半导体器件[0039] 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路[0040] 具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件[0041] 树脂密封式半导体装置及其制造方法[0042] 半导体器件的金属接触法[0043] 用于形成半导体器件杂质结区的方法[0044] 集成电路的布局方法[0045] 用于高密度信息图象显示装置的二维有机发光二极管阵列[0046] 电源检测电路[0047] 彩色有机发光二极管阵列[0048] 形成半导体器件中金属间绝缘层的方法[0049] 半导体器件的制造方法[0050] 场致发光装置[0051] 不夹持的真空传热站[0052] 一种制造具有高电流密度的超导带材的方法[0053] 高粘度材料用成型模、高粘度材料用成型装置及高粘度材料的成型方法[0054] 用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法[0055] 半导体装置[0056] 静电放电保护电路 [0057] 用于形成欧姆电极的叠层体和欧姆电极[0058] 制造半导体器件中的场氧化层的方法[0059] 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法[0060] 包括Z轴导电膜的微电子组件[0061] 具有减小电阻的化合物半导体器件[0062] 一种半导体器件的制造方法[0063] 制造薄膜晶体管的方法及设备[0064] ＭＩＳ门复合半导体装置及其驱动方法以及电源转换装置[0065] 连接衬底的结构和方法[0066] 半导体组件的制造方法及半导体组件[0067] 形成三阱的方法[0068] PMOSFE及由此制造的CMOS器件[0069] 用于引线连接式芯片的有机芯片载体[0070] 半导体器件及其装配方法[0071] 固体摄象器件及其制造方法[0072] 压电陶瓷组合物[0073] 制造半导体器件的方法[0074] 硅半导体二极管元件和芯片与绝缘****的结构及其制法[0075] 用堆叠集成电路芯片平面阵列的方式来制作单片电子组件的方法[0076] 用于把两个集成电路直流上相互隔离的方法和设备 [0077] 太阳能电池元件组太阳能电池组件及其制造方法[0078] 热红外探测器[0079] 制造掩模只读存储器的方法[0080] 具有动态可控阈电压的MOS晶体管读出放大器[0081] 光电池、光电池阵列及其组成的电解装置[0082] 散热器[0083] 形成半导体器件隔离的方法[0084] 用肉眼检查半导体器件引线的方法及设备[0085] 半导体器件制造方法[0086] 快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法[0087] 半导体器件及其制造方法[0088] 半导体器件[0089] 制造金属氧化物场效应晶体管的方法[0090] 用于电子封装的超薄贵金属涂层[0091] 气体传热等离子体处理装置[0092] 制造半导体器件的方法[0093] 光检测装置及其制造方法[0094] 双极晶体管电路元件[0095] 半导体器件中接触的形成方法[0096] 用于形成钨布线的方法 [0097] 限流装置[0098] 阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法[0099] 利用中温氧化层去除由离子注入产生的缺陷的方法[0100] 封装芯片的方法、载体及模具零件[0101] 测定发光器件老化的方法及使用该方法的光发射驱动装置[0102] 太阳电池装置[0103] 光电转换器件与图象读取器件[0104] 用于制造半导体器件的曝光装置[0105] 测量半导体器件结区漏电流的方法[0106] 制造半导体器件的方法[0107] 有机器件的钝化[0108] 半导体发光器件及其制造方法[0109] 半导体器件及其制造方法[0110] 载片及其制造方法和安装方法[0111] 电路的制造方法[0112] 压电元件及其制造方法[0113] 利用晶界形成半导体器件中的两层多晶硅栅极的方法[0114] 半导体器件的制造方法[0115] 形成半导体器件金属互连的方法[0116] 高升压比压电式变压器 [0117] 半导体器件的结构及形成该器件外壳的方法[0118] 具有高非离子载流子迁移率有机材料的应用[0119] 用于形成半导体的元件隔离膜的方法[0120] 分析半导体器件的缺陷的方法[0121] 氮化硅电路板[0122] 平板显示器与集成电路器件的接合方法[0123] 功率半导体模块[0124] 制作半导体器件中圆筒形叠层电容器的方法[0125] 高速去胶法[0126] 半导体器件及其制造方法[0127] 集成电路的静电放电防护电路[0128] 用于以良好生产率密封半导体芯片的模塑模具和用于安装半导体芯片的引线框架[0129] 形成半导体器件的电荷储存电极的方法[0130] 表面安装型发光二极管[0131] 制造半导体器件电容器的方法[0132] 在半导体器件间设置隔离的方法[0133] 耗散热量的半导体器件[0134] 多层混合集成的厚膜电路[0135] 薄膜晶体管及其制造方法[0136] 用于形成半导体装置的精细图形的方法 [0137] 半导体装置的制造方法[0138] 形成具有浅结和低薄层电阻半导体器件的方法[0139] 变容二极管和制造变容二极管的方法[0140] 有最佳静电放电保护的输入/输出晶体管[0141] 具有埋入触头的多层薄膜太阳能电池[0142] 具有至少一个应力释放端部的压电/电致伸缩膜元件[0143] 半导体器件及其制造方法[0144] 降低集成电路温漂和全温程失调的修正技术[0145] 半导体器件及其制造方法[0146] 形成半导体器件的旋涂玻璃膜的方法[0147] 隐埋引线式芯片座及使用该座的芯片封装[0148] 制造具有精细接触孔的半导体器件的方法[0149] 集成电光封装[0150] 真空层压设备和方法[0151] 制造垂直双极型晶体管的方法[0152] 外延片及其制造方法[0153] 氮化物半导体发光器件[0154] 连接一个电子元件的端子到另一个电子元件的端子的方法[0155] 固态成像器件及其制造方法[0156] 激光退火方法 [0157] 多孔半导体材料[0158] 单片高频集成电路结构及其制造方法[0159] 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法[0160] 能抑制软差错的电阻负载型静态随机存取存储器单元[0161] 陶瓷膜结构体及其制造方法[0162] 发光二极管结构[0163] 栅控晶闸管[0164] 具有基板结构的矽半导体整流电桥[0165] 制备半导体器件中的电容器电荷储存电极的方法[0166] 薄膜太阳能电池[0167] 化学处理基片的方法和装置[0168] 半导体器件及其制造方法[0169] 半导体元件互连器件及其制造方法[0170] 封装引线框架的方法和预压坯以及预压坯的加工设备[0171] 制造半导体器件的方法及晶体生长促进剂[0172] 超小型半导体器件及其制造和连接方法[0173] 感离子场效应管传感器的静电放电保护[0174] 制造半导体器件中晶体管的方法[0175] 在半导体器件中形成钨插头的方法[0176] 横向型霍尔器件 [0177] 光化学电池[0178] 半导体器件场氧化层的形成方法[0179] 含有波导和光电接收器件的集成光学模块[0180] 静电放电防护电路[0181] 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半导体器件及其制造方法1.本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究》包含一张pdf图书或技术资料光盘（里面有我们独家聘请的相关领域内的技术权威和技术专家专业编写的5本相关技术书籍或技术资料）及二张配套生产技术工艺光盘共三张光盘。2.本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究》订购联系电话:150-9568-65813.凡购买本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究》的用户均可在二年内免费提供新增加的同类生产技术工艺相关内容的更新服务，并根据您的需要免费随时发送给您，真诚为您在本领域的研究在技术方面提供更多的帮助。4.本套《形成半导体器件技术+ZnO基稀磁半导体的结构与性能研究》因为篇幅所限，有更多的相关内容不能全部列出。但是我们给您所发送的货里则包含全部5本相关技术书籍或技术资料及从1985年至今的更多最新相关科研成果,联系电话:15095686581。'

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