不同生长条件对Sn掺杂ZnO薄膜电学性能的影响

发布时间：2017-11-27 11:07

  本文关键词：不同生长条件对Sn掺杂ZnO薄膜电学性能的影响

  更多相关文章： ZnO Sn掺杂 透明导电薄膜 电学性能 磁控溅射

【摘要】：采用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Sn掺杂ZnO透明导电薄膜,用Hall效应测试仪表征了薄膜的电学性能,研究了不同生长条件对薄膜电学性能的影响。研究结果表明,随着Ar/O2比的增加,电阻率先减小后增大,在Ar/O2为6时,取得最低的电阻率为2.02×10-2Ω·cm;随着溅射功率的增大,薄膜电阻率急剧减小,在140 W时获得最低电阻率为2.89×10-2Ω·cm;在溅射时间11min时得到了最低的薄膜电阻率,为1.45×10-2Ω·cm。随着压强的增大,电阻率先急剧减小,后缓慢增大,当溅射压强为0.8Pa时,薄膜电阻率具有最小值,为2.17×10-2Ω·cm。当衬底温度在400~500℃范围内变化时,在475℃时取得最佳电学性能,电阻率为2.26×10-2Ω·cm。在整个实验条件下,当Ar/O2为8、溅射功率为180W、衬底温度为450℃、溅射压强为0.5Pa、溅射时间为11min时,薄膜具有最佳的导电性能,电阻率为1.45×10-2Ω·cm。
【作者单位】： 长沙理工大学物理与电子科学学院;浙江大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51302021) 湖南省教育厅科研基金项目(13C1025)
【分类号】：TB383.2
【正文快照】： resistivity of 2.26×10-2Ω·cm.During the whole experiments,the thin film has the bestconductivity and the resistivity is 1.45×10-2Ω·cm,when the ratio of Ar/O2is 8,thesputtering power is 180 W,the substrate temperature is 450℃,the sputtering pressur

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