大尺寸金刚石膜制备的研究

发布时间：2018-02-28 22:25

  本文关键词： 大尺寸 温度 “H:C” Si基底 Mo基底 减少工作量　出处：《牡丹江师范学院》2015年硕士论文　论文类型：学位论文

【摘要】：本论文采用间歇式P-CVD法,H2/CH4气氛。以直径20mm的Si基底在上直径40mm的Mo基底在下的叠放方式,同时研究了温度对二者合成金刚石膜的影响。通过SEM、RAMAN分析得出Si基底合成金刚石膜的适宜温度为850±20℃,基于此研究了“H:C”对直径40mm的Si基底合成金刚石膜的影响,通过分区表征、分析得出,合成金刚石膜的适宜“H:C”为“104:1”,并合成了质量、结晶性和均匀性较好的大尺寸金刚石膜。为预测合成更大尺寸金刚石膜需在现有工艺条件上如何进行调节,探索了基底尺寸对金刚石膜形核、生长的影响。通过Si、Mo基底的中心温度差,以及SEM、RAMAN分析得出,Mo基底合成金刚石膜的适宜温度为870±20℃,经验证后证明“同时研究同种条件因素对两种基底合成金刚石膜影响”可行,避免了重复实验的时间和工作量,节约了资源。进一步下调“H:C”,成功合成了较高品质的大尺寸金刚石膜。
[Abstract]:In this paper, the method of intermittent P-CVD is used to fabricate H _ 2 / Ch _ 4 atmosphere. In this paper, the Si substrate with diameter 20mm is stacked under the Mo substrate with a top diameter of 40mm. At the same time, the effect of temperature on diamond films was studied. The optimum temperature of synthetic diamond films on Si substrate was 850 卤20 鈩，

本文编号：1549250