磁控溅射阴极靶的伏安特性对Ti薄膜结构及性能影响

发布时间：2018-03-07 04:16

  本文选题：磁控溅射离子镀　切入点：热电子发射　出处：《金属热处理》2017年09期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：通过在不同的磁控溅射阴极靶电源供给模式下制备纯Ti薄膜,并采用扫描电镜、X射线衍射、纳米压痕仪及微划痕试验等表征方法对比研究了阴极靶在不同电场模式下对Ti薄膜微观结构、相组成、显微硬度及膜基结合强度的影响。结果表明:相对于直流电场和高功率脉冲电场,通过双脉冲电场模式所制备的纯Ti薄膜具有纳米多晶结构,其晶粒尺寸为17 nm,组织致密,硬度和弹性模量分别达到了3.5 GPa和123 GPa,并且显著提高了与膜基的结合强度。
[Abstract]:Pure Ti thin films were prepared by different power supply modes of magnetron sputtering cathode target. The microstructure and phase composition of Ti thin films under different electric field modes were studied by nano-indentation instrument and micro-scratch test. The results show that the pure Ti thin films prepared by double pulse electric field mode have nanocrystalline structure compared with DC field and high power pulsed electric field. The grain size is 17 nm and the microstructure is dense. The hardness and modulus of elasticity reached 3.5 GPa and 123GParespectively, and the bonding strength with the film was significantly increased.
【作者单位】： 西安理工大学材料科学与工程学院;南京工业大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金(51271144)
【分类号】：TB383.2;TG146.23

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本文编号：1577897