掺硅a-C∶H材料光学性质的分子动力学模拟

发布时间：2018-03-15 06:02

  本文选题：分子动力学模拟　切入点：非晶碳氢　出处：《材料科学与工程学报》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：利用分子动力学方法,对掺Si的非晶碳氢材料的结合键、C-sp3含量、电子结构、光学性能等物理性质进行了理论模拟研究。研究结果表明,在Si掺杂量小于8%时,随Si掺杂量的增加,Csp3含量,C-Si键数量均呈现增大的趋势,而C-C键数量则有所降低。在光学特性上,在波长为400~800nm范围内,其透过率在Si掺杂量为1.5%时达到最大值,然后,随Si掺杂量增加其透过率先减小后增大,并在掺杂量为4.5%处达到一个透过率的极小值。此外,当Si掺杂量为4.5%时,其反射率和吸收系数最大。
[Abstract]:By using molecular dynamics method, the physical properties of Si-doped amorphous carbon and hydrogen materials, such as the content of C-sp _ 3, electronic structure and optical properties, are studied theoretically. The results show that when the amount of Si doping is less than 8%, With the increase of Si doping content, the number of C-Si bond increases, while the number of C-C bond decreases. In optical properties, the transmittance reaches its maximum value when Si doping amount is 1.5 nm in the wavelength range of 400,800 nm, and then, With the increase of Si doping content, the transmittance decreases first and then increases, and a minimum of transmittance is achieved at the doping amount of 4.5%. In addition, when Si doping amount is 4.5, the reflectivity and absorption coefficient are the largest.
【作者单位】： 北京工业大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家科技重大专项项目
【分类号】：TB30

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