退火温度对真空热蒸发CdTe薄膜特性的影响

发布时间：2018-03-25 01:35

  本文选题：真空热蒸发　切入点：CdTe薄膜　出处：《材料热处理学报》2017年03期

【摘要】：采用真空热蒸发方法,以高纯CdTe粉末为蒸发源,在石英和AZO玻璃上沉积了厚度约为485 nm的CdTe薄膜,随后在N2氛围中于250~400℃条件下进行后退火处理。利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同退火温度条件下样品的结构、光学和电学特性。结果表明,所制备的薄膜为立方闪锌矿结构,择优取向为111晶向,提高退火温度可以促进薄膜结晶;光学测量结果证实,随退火温度升高,薄膜样品的光学带隙由1.527 e V减小到1.496 e V;电流-电压测试表明,薄膜电导率随退火温度的增加,由0.97μS/cm增大至87.3μS/cm。
[Abstract]:CdTe thin films with thickness of 485nm were deposited on quartz and AZO glass with high purity CdTe powder as evaporation source by vacuum thermal evaporation method, and then annealed in N _ 2 atmosphere at 250 ~ 400 鈩，

本文编号：1660979