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镁与锂共掺杂氧化锌纳米薄膜的结构与特性研究

发布时间:2018-04-10 10:34

本文选题:氧化锌 + 纳米薄膜 ;  引自:《无机盐工业》2017年07期


【摘要】:以溶胶凝胶法成长了锂与镁共掺杂氧化锌纳米薄膜,并且探讨了锂掺杂与镁掺杂对薄膜结构、光学特性及电性质的影响。结果发现,锂掺杂量增加时XRD的2θ值向低角度偏移,VO缺陷随锂掺杂量增加而变大,进而使薄膜内含氧量降低且呈富锌(Zn-rich)态。在富锌状态下Lii缺陷增加,进而使得电子浓度增大。镁掺杂能降低,VO缺陷形成,使薄膜内含氧量提高而转向富氧(O-rich)态,在偏富氧态下Lii缺陷形成几率降低,LiZn缺陷形成几率增大。锂掺杂氧化锌薄膜的导电型态为n型,再掺杂镁时则能提升含氧量而抑制施体型缺陷的形成,得到Li_(0.008)Zn_(0.933)Mg_(0.059)O薄膜呈p型导电型态。
[Abstract]:Lithium and magnesium co-doped ZnO nanocrystals were grown by sol-gel method. The effects of lithium doping and magnesium doping on the structure, optical properties and electrical properties of the films were investigated.The results show that with the increase of lithium doping amount, the 2 胃 value of XRD shifts to low angle and the VO defect increases with the increase of lithium doping content, which leads to the decrease of oxygen content and Zn-rich state in the films.In zinc rich state, the defect of Lii increases and the electron concentration increases.Magnesium doping can decrease the formation of VO defects, increase the oxygen content in the films and turn to the oxygen-rich O-rich state. In the oxygen-enriched state, the formation probability of Lii defects decreases and the formation probability of LiZn defects increases.The conductive state of Li-doped zinc oxide thin film is n-type, and the oxygen content can be increased and the formation of type defects can be inhibited by doping magnesium. It is found that the Li_(0.008)Zn_(0.933)Mg_(0.059)O thin film is p-type conductive.
【作者单位】: 中国海洋大学化学化工学院;
【分类号】:TB383.2;TQ132.41

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号:1730836

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