二次再结晶退火,secondary recrystallization annealing,音标,读音,翻译,英

  本文关键词：二相粒子材料再结晶退火的元胞自动机模型及其模拟研究，由笔耕文化传播整理发布。

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1)  secondary recrystallization annealing

二次再结晶退火

2)  recrystallization annealing

再结晶退火

1.

Model of recrystallization annealing and properties of niobium microalloyed high strength steel sheet after cold rolling;

高强冷轧铌钢的再结晶退火与性能模型

2.

Study on Modeling and Simulation of Recrystallization Annealing Process for Material with Second Phase Particle by Cellular Automata Method;

二相粒子材料再结晶退火的元胞自动机模型及其模拟研究

3.

EBSD investigation of cold-rolled non-oriented silicon steel in recrystallization annealing process

冷轧无取向硅钢再结晶退火过程的EBSD分析

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3)  secondary recrystallization

二次再结晶

1.

At the starting temperature of secondary recrystallization, 950℃, a certain Sn still segregates at grain boundaries.

在二次再结晶起始温度950℃,Sn在晶界仍有一定的偏聚量,作者认为,Sn通过在晶界偏聚起到了辅助抑制剂的作用。

2.

The results show that final microstructure of the hot-rolled sheet is coarse-grained structure as a result of the occurrence of secondary recrystallization,but the cold-rolled sheet has only a primary recrystallization.

结果表明,MGH754合金热轧板材的终态组织是发生了二次再结晶的粗晶组织,而冷轧板材只发生了一次再结晶。

3.

The results show that transverse rolling sheet could create comparatively perfect structure due to the occurrence of secondary recrystallization.

结果表明:由于发生了相对完全的二次再结晶,横向轧制板材能得到理想的终态组织。

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4)  second crystallization

二次再结晶现象

5)  imcomplete recrystallizatiom annealing

不完全再结晶退火

6)  Secondary annealing

二次退火

1.

Effect of secondary annealing on Al/Ti/n-GaN/Si ohmic contacts;

二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响

补充资料：二次再结晶

二次再结晶
secondary tecrystallizationg

ofCI ZoljleJIng==次再结晶(seeondary reerystalli:ation)又称二次重结晶、异常晶粒长大，或不连续长大。是指少数大晶粒在小晶粒消耗时成核长大的过程。因为晶粒大于6条边界时边界向内凹，而晶粒小于6条边界时边界向外凸.凸面的界面能大于凹面的界面能，因此晶界向凸面曲率中心移动，结果小于6条边的小晶粒缩小，甚至消灭，而大于6条边的大晶粒异常长大. 当正常的晶粒生长由于夹杂物或细孔等的阻碍作用而停止以后，如果在均匀基相中有若干大晶粒，其晶粒边界比邻近晶粒的边界多得多，晶界曲率也较大，大晶粒的界面能较小晶粒低，，在界面能驱动下，大晶粒晶界就可以越过气孔或夹杂物而进一步向邻近曲率半径小的小晶粒中心推进，而使大晶粒成为二次再结晶的核心，不断吞并周围小晶粒而迅速长大，直至与邻近大晶粒接触为止。 晶粒二次再结晶生长时，气孔都维持在晶界上或晶界交汇处;即二次再结晶时气孔常被包裹到晶粒内部。 为了得到致密的烧结料，制止二次再结晶是重要的。引入适当添加剂能制止或减慢晶界的迁移，从而使气孔排除，甚至可制得完全无气孔的多晶材料。 (陈攀友)

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