磁控溅射Cu薄膜的光电性能研究

发布时间：2018-05-07 20:11

  本文选题：Cu薄膜 + 磁控溅射　； 参考：《人工晶体学报》2017年06期

【摘要】：利用磁控溅射技术,通过正交试验设计方法,在K9光学玻璃基底上制备了Cu薄膜,研究了溅射时间、基底温度和氩气流量对Cu薄膜光电性能的影响。研究表明:Cu薄膜的透射谱在紫外波段362 nm处有明显吸收峰,但在可见光波段吸收强度较弱,说明Cu膜在可见波段有较高的透光性;膜厚度增加则光学透射率降低。电阻率随膜厚的增大,大体上呈逐渐减小的趋势;1100 nm为临界尺寸,Cu膜厚度1100 nm时,电阻率值变化较快;Cu薄膜厚度1100 nm时,电阻率变化缓慢至定值。当溅射时间为25 min、基底温度为300℃、氩气流量为6.9 sccm时所得样品在紫外-可见光区没有吸收,且导电性好。
[Abstract]:Cu thin films were prepared on K9 optical glass substrate by using the magnetron sputtering technique. The effect of sputtering time, substrate temperature and argon flow on the photoelectric properties of Cu films was studied. The study showed that the transmission spectrum of Cu film had obvious absorption peak at 362 nm in the UV band, but the absorption intensity in the visible band was weak, It shows that the Cu film has a high transmittance in the visible band, and the optical transmittance decreases with the increase of the thickness of the film. The resistivity is gradually decreasing with the increase of the thickness of the film. 1100 nm is the critical size, when the thickness of the Cu film is 1100 nm, the resistivity changes rapidly; when the thickness of the Cu film is 1100 nm, the resistivity changes slowly to the fixed value. When the sputtering time is 25 mi N, the substrate temperature is 300 degrees, and the argon flow rate is 6.9 SCCM. The samples are not absorbed in the UV visible region, and the conductivity is good.

【作者单位】： 河南工业大学理学院;
【基金】：河南省基础前沿项目(122300410129)
【分类号】：TB383.2;TG146.11

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本文编号：1858304