盐酸胍对钌在含双氧水的二氧化硅水溶胶中化学机械抛光的影响

发布时间：2018-05-19 01:41

  本文选题：钌 + 化学机械抛光　； 参考：《电镀与涂饰》2017年17期

【摘要】：根据Zeta电势测量、极化曲线测量和原子力显微镜观察的结果,探讨了盐酸胍(GH)在Ru化学机械抛光(CMP)过程中的作用。结果表明:在pH=9的5%SiO_2+0.15% H_2O_2抛光液中,GH的添加可以大幅度提高钌的去除速率。当GH浓度为80 mmol/L时,钌的去除速率最佳。在相同浓度下,GH对Ru去除速率的提高效果优于KCl,皆因GH除了可以提升SiO_2颗粒对Ru表面的机械作用之外,还能加速Ru腐蚀。
[Abstract]:Based on the results of Zeta potential measurement, polarization curve measurement and atomic force microscope (AFM) observation, the role of guanidine hydrochloride in Ru chemical mechanical polishing (Ru) process is discussed. The results showed that the removal rate of ruthenium could be greatly increased by adding pH=9 to 5%SiO_2 0.15% H_2O_2 polishing solution. When GH concentration is 80 mmol/L, the removal rate of ruthenium is the best. The effect of GH on Ru removal rate at the same concentration is better than that of KCl. because GH can not only enhance the mechanical effect of SiO_2 particles on the Ru surface, but also accelerate the Ru corrosion.
【作者单位】： 河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室;
【基金】：河北省研究生创新资助项目(220056) 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) 河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)
【分类号】：TB306

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本文编号：1908166