双空位缺陷对硼氮纳米条带能带结构的影响

发布时间：2018-05-19 03:09

本文选题：硼氮纳米条带 + 第一性原理计算　；参考：《吉林大学》2015年硕士论文

【摘要】：石墨烯的成功合成开创了材料科学领域的新纪元，它的发现不仅促进了低维碳基材料同时也促进了无机纳米材料的广泛研究，特别是低维硼氮纳米体系，例如二维硼氮层和一维硼氮纳米条带,作为石墨烯纳米条带的结构相似物，硼氮纳米条带已经在实验上合成，并具有高的热稳定性和化学稳定性，可用于极端环境，然而其宽的带隙却阻碍了BN纳米条带在纳米电子器件等方面的应用。为了解决这一难题，本文基于第一性原理计算方法，通过研究双空位缺陷重组形成的5-8-5缺陷，主要针对锯齿型和扶手椅型两种边缘手性的双空位缺陷硼氮纳米条带的几何结构以及对应结构的电学和磁学性质展开研究。我们考虑了缺陷的方向和位置两种影响因素。计算结果表明所有缺陷的硼氮纳米条带体系都能够一致的表现为非磁的半导体行为，此外，，5-8-5缺陷的形成，对锯齿型和扶手椅型的硼氮纳米条带的能带结构都有明显的影响，所有缺陷的硼氮纳米条带的带隙都有所降低，然而，不同缺陷的方向或缺陷位置对能带的影响不同。显然，引入双空位缺陷是一种有效的手段来调节硼氮基纳米材料在电子自旋器件和多功能纳米器件领域中的应用。
[Abstract]:The successful synthesis of graphene has initiated a new era in the field of material science . It has been found not only to promote low - dimensional carbon - based materials , but also to promote the extensive research of inorganic nano - materials , especially low - dimensional boron - nitrogen nano - systems , such as two - dimensional boron - nitrogen and one - dimensional boron - nitrogen nano - bands , which have been synthesized in experiments , and have high thermal stability and chemical stability , which can be used in extreme environments , but their wide band gap hampers the application of BN nano - strips in nanoelectronics and the like .

In order to solve this problem , based on the first principle calculation method , the 5 - 8 - 5 defects formed by double - vacancy defect recombination were studied .
【学位授予单位】：吉林大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2015
【分类号】：O613.81;TB383.1

【参考文献】