TC4钛合金上制备c轴取向AlN薄膜研究

发布时间：2018-06-22 00:03

  本文选题：TC钛合金 + 中频磁控反应溅射　； 参考：《压电与声光》2015年02期

【摘要】：采用中频磁控反应溅射,提出了在TC4钛合金基片上制备c轴取向AlN薄膜的两步法工艺。利用扫描电镜分析(SEM)、X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面及断面形貌、晶体结构、表面粗糙度进行了表征。研究结果表明,利用该文提出的两步法工艺可在TC4钛合金衬底上制备出表面粗糙度为2.3nm、c轴XRD摇摆曲线半高宽为4.1°的AlN薄膜,满足制作压电微机电系统(MEMS)器件或薄膜声表面波(SAW)和体声波器件的需求。
[Abstract]:A two-step technique for the preparation of c-axis oriented AlN thin films on TC4 titanium alloy substrates by intermediate frequency magnetron reactive sputtering was proposed. Scanning electron microscopy (SEM) X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) were used to characterize the surface and cross-section morphology, crystal structure and surface roughness of the films. The results show that AlN thin films with a surface roughness of 2.3 nm ~ (m) C ~ (-axis) XRD rocking curve with a half maximum width of 4.1 掳can be prepared on TC4 substrate by using the two-step method proposed in this paper. It can be used to fabricate piezoelectric micro electromechanical system (MEMS) devices, thin film surface acoustic wave (saw) and bulk acoustic wave devices.
【作者单位】： 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
【基金】：自然科学基金资助项目(61223002) 四川省青年科技创新团队基金资助项目(2011HTD0006)
【分类号】：TG174.4

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：2050627