Pd颗粒表面修饰ZnO纳米线阵列的制备及其气敏特性

发布时间：2018-06-28 15:56

  本文选题：气敏特性 + ZnO纳米线　； 参考：《发光学报》2017年08期

【摘要】：采用化学气相沉积(CVD)方法在SiO_2/Si衬底生长了ZnO纳米线阵列,纳米线长约为15μm,直径为100~500 nm。通过改变溅射沉积时间(0~150 s),在ZnO纳米线表面包覆了不同厚度的Pd薄膜。在Ar气氛中,经800℃高温退火后,制备出Pd颗粒表面修饰的ZnO纳米线阵列并对其进行了气敏测试。对于乙醇而言,所有传感器最佳工作温度均为280℃。溅射时间的增加(3~10 s)导致ZnO纳米线表面Pd纳米颗粒数量及尺寸增加,传感器响应值由2.0增至3.6。过长的溅射时间(30~150 s)将导致Pd颗粒尺寸急剧增大甚至形成连续膜,传感器响应度显著降低。所有传感器对H2均表现出相对较好的选择性,传感器具有较好的响应-恢复特性和稳定性。最后,探讨了Pd颗粒表面修饰对ZnO纳米线阵列气敏传感器气敏特性的影响机制。
[Abstract]:ZnO nanowire arrays were grown on Sio _ 2 / Si substrate by chemical vapor deposition (CVD). The nanowires are about 15 渭 m in length and 100 渭 m in diameter. PD thin films with different thickness were coated on ZnO nanowires by changing the sputtering time (0 ~ 150 s),). ZnO nanowire arrays modified by PD particles were prepared in ar atmosphere and annealed at 800 鈩，

本文编号：2078542