基于自组装技术的单晶硅表面镀铜工艺

发布时间：2018-07-06 07:55

  本文选题：有机硅烷 + 自组装　； 参考：《材料科学与工程学报》2017年05期

【摘要】：本研究在单晶硅基底表面自组装制备了3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)自组装薄膜,并在此基础上进行化学镀和电镀研究,最终得到了致密均匀的铜膜,镀层与单晶硅基底通过配位键连接,粘结力强。利用循环伏安(CV)法探索得到了最佳电镀工艺参数为:电流密度1.56A/dm2,电镀时间600s。借助接触角测试仪测定了不同试样表面的润湿性,通过X射线能谱仪(EDX)、扫描电子显微镜(SEM)对镀层的元素含量和表面形貌进行了表征。获得的铜镀层致密均匀并呈现金属光泽。
[Abstract]:The self assembled monolayer of 3- ammonia propyl triethoxy silane (APTES) was prepared on the surface of monocrystalline silicon substrate. On this basis, the electroless plating and electroplating were studied. Finally, the compact and uniform copper film was obtained. The coating and the monocrystalline silicon substrate were connected by the coordination bond and the bonding force was strong. The best electricity was obtained by the cyclic voltammetry (CV) method. The plating parameters are: current density 1.56A/dm2 and electroplating time 600s. with contact angle tester to determine the wettability on the surface of different samples. The element content and surface morphology of the coating are characterized by X ray energy spectrometer (EDX) and scanning electron microscope (SEM). The obtained copper coating is compact and uniform and exhibits metallic luster.
【作者单位】： 西北农林科技大学理学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(21203152)
【分类号】：TB306;TQ127.2

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本文编号：2102058