二维材料外延生长的原子尺度机理:特性与共性
[Abstract]:Since the first exfoliation of graphene from graphite, only layered (or two-dimensional) materials with atomic thickness have occupied the central stage of condensed matter physics and material science due to their rich and peculiar physical properties. The ever-expanding family of two-dimensional materials, including graphene, silicene, phosphorene, boron, hexagonal boron nitride, transition metal disulfide compounds, and even strong topological insulators, not only each member has a distinct personality, For example, the unique physical properties and preparation methods, and the whole family has its common, for example, between monolayer materials and substrates, between layers are almost dependent on the weak van der Waals force coupling. A deep understanding of any two-dimensional family member may be of universal value for entering the family. In this paper, we first introduce the main atomic processes and the corresponding morphologies of Van der Waals layered materials in the process of non-equilibrium epitaxial growth. The importance of van der Waals interaction in the transverse or vertical stacking heterostructures of two-dimensional materials is further discussed. In addition to the growth mechanism at atomic scale, some recent advances in the optimization and functionalization of physical properties of two-dimensional materials are briefly introduced. Examples cover the fields of optics, electricity, spin electronics, catalysis and so on.
【作者单位】: 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室国际功能材料量子设计中心量子信息与量子科技前沿协同创新中心;
【基金】:国家自然科学基金(批准号:61434002,11634011,11374273) 国家重点基础研究发展计划(批准号:2014CB921103)资助项目
【分类号】:TB30
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本文编号:2249749
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