特定手性单壁碳纳米管的可控生长

发布时间：2018-11-03 19:07

【摘要】：单壁碳纳米管具有优异的电学、光学、热学、力学等性能,可能成为未来纳米器件的支撑材料之一。实现碳纳米管的结构可控生长制备依然面临着严峻的挑战。其中手性控制是单壁碳纳米管可控制备的最大挑战,它的实现标志着直径、壁数、手性角及导电属性等的可控制备。以特定手性单壁碳纳米管的可控生长为中心,分别综述了利用化学气相沉积法在粉体生长与表面生长两方面实现手性可控生长的研究进展,并在此基础上总结出基本思路,为实现单一手性碳纳米管的可控制备奠定基础。
[Abstract]:Single walled carbon nanotubes (SWNTs) have excellent electrical, optical, thermal and mechanical properties, which may become one of the supporting materials for nanodevices in the future. The fabrication of carbon nanotubes by structurally controlled growth is still facing a severe challenge. Chiral control is the biggest challenge in the controllable fabrication of single-walled carbon nanotubes. Its realization marks the controllable preparation of diameter, number of walls, chiral angle and conductive properties. Based on the controllable growth of chiral single-walled carbon nanotubes (SCNTs), the progress in the development of chiral growth by chemical vapor deposition (CVD) was reviewed, and the basic ideas were summarized. It lays a foundation for the controllable preparation of single chiral carbon nanotubes.
【作者单位】： 上海大学理学院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;
【基金】：国家自然科学基金(51372265)
【分类号】：TB383.1;O613.71

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本文编号：2308701