缺陷调控对氧化锌纳米棒阵列光电响应与恢复性能的影响

发布时间：2018-11-27 15:07

【摘要】：通过在空气和氮气中不同温度的退火处理对氧化锌内部缺陷进行调控,并研究了缺陷调控对氧化锌光电响应和恢复性能的影响。在空气气氛中,随着退火温度的升高,氧空位和锌空位的浓度逐渐增加。在氮气中高温退火后,氧空位浓度增加,锌空位却被湮灭。退火后的氧化锌纳米棒阵列比未退火的氧化锌纳米棒阵列表现出更显著的光电恢复效率(最高提高约40倍),然而,退火后的氧化锌纳米棒阵列对紫外光的光电响应速率却被减弱。
[Abstract]:The internal defects of zinc oxide were regulated by annealing at different temperatures in air and nitrogen, and the effects of defects on the photoelectric response and recovery performance of zinc oxide were studied. With the increase of annealing temperature, the concentration of oxygen vacancy and zinc vacancy increase in air atmosphere. After high temperature annealing in nitrogen, the oxygen vacancy concentration increases, but the zinc vacancy is annihilated. The annealed ZnO nanorods showed a more significant photoelectric recovery efficiency than unannealed ZnO nanorods (up to 40 times higher), however, The photoresponse rate of annealed ZnO nanorods to ultraviolet light is weakened.
【作者单位】： 华中科技大学材料科学与工程学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(50927201)
【分类号】：O614.241;TB383.1

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本文编号：2361231