阴极离子镀制备TiN薄膜及其光电性能的研究
[Abstract]:Titanium nitride (TiN) has become a research hotspot in recent years because of its unique physical, chemical, optical, electrical and mechanical properties. Uniform and dense TiN films were prepared on 304 stainless steel substrates by cathodic ion plating. X-ray diffraction, scanning electron microscope, transmission electron microscope, scanning probe microscope, UV-Vis spectrophotometer and infrared spectrometer were used to study the phase, structure and photoelectric properties of the films. The results show that the main phase of the film is TiN, orientation in the (111) crystal mask, and a small amount of O impurity is found in the film. The surface of the film is flat, the particles are tightly bound, and there are some holes and small protrusions. The average thickness of the Rq is about 0.896 渭 m, and the reflectivity of the film is over 80% in the infrared band, and the average thickness of the thin film is about 0.896 渭 m, and the surface roughness of the film is about 21.21 渭 m. The infrared emissivity is about 0.19. The results of ellipsometry show that the extinction coefficient k and refractive index n of TiN film are similar to those of Ag.
【作者单位】: 浙江大学材料科学与工程学院;浙江大学硅材料国家重点实验室;
【基金】:“十三五”国家重点研发计划资助项目(2016YFB0303900)
【分类号】:TB383.2
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,本文编号:2373638
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