纳米铜的湿化学合成及其应用
【图文】:
的导电性和高光学透射率(86%透光率时电导率为30S/m)。实验在常用电压力锅里116℃下反应2~12h。合成的铜纳米线粒径在45nm左右,长度可达到60~90μm。L.Xu等[21]用T型流体装置合成了铜纳米颗粒。以NaBH4为还原剂,PVP为表面活性剂,合成的铜纳米颗粒粒径在8.95nm,颗粒为球形的,大小均匀,分散良好。能谱结果表明在铜纳米颗粒在合成过程中不存在氧化,,这也证明了作为抗氧化剂的PVP能很好地使颗粒分散。图2为纳米铜室温下在T型微流控芯片装置中的合成示意图,该装置管道长宽高分别为10,200,30mm。图2纳米铜室温下在T型微流控芯片装置中的合成示意图[21]Fig2Schematicofthesynthesisprocessesofthecop-pernanoparticlesbyT-shapedmicrofluidicchipatroomtemperature[21]诸如二十二碳六烯酸(DHA),十八胺(ODA)这些直链烷基胺在大部分文献中是用在水热法工艺中合成铜纳米线。这表明,它们在铜纳米线的形成中发挥着04061谢汉文等:纳米铜的湿化学合成及其应用
的导电性和高光学透射率(86%透光率时电导率为30S/m)。实验在常用电压力锅里116℃下反应2~12h。合成的铜纳米线粒径在45nm左右,长度可达到60~90μm。L.Xu等[21]用T型流体装置合成了铜纳米颗粒。以NaBH4为还原剂,PVP为表面活性剂,合成的铜纳米颗粒粒径在8.95nm,颗粒为球形的,大小均匀,分散良好。能谱结果表明在铜纳米颗粒在合成过程中不存在氧化,这也证明了作为抗氧化剂的PVP能很好地使颗粒分散。图2为纳米铜室温下在T型微流控芯片装置中的合成示意图,该装置管道长宽高分别为10,200,30mm。图2纳米铜室温下在T型微流控芯片装置中的合成示意图[21]Fig2Schematicofthesynthesisprocessesofthecop-pernanoparticlesbyT-shapedmicrofluidicchipatroomtemperature[21]诸如二十二碳六烯酸(DHA),十八胺(ODA)这些直链烷基胺在大部分文献中是用在水热法工艺中合成铜纳米线。这表明,它们在铜纳米线的形成中发挥着04061谢汉文等:纳米铜的湿化学合成及其应用
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