当前位置:主页 > 科技论文 > 材料论文 >

铁磁性异质结中磁电性能的应变调控研究

发布时间:2020-03-18 20:46
【摘要】:应变调控物质的磁性是指具有铁磁性、顺磁性或反铁磁性的一种材料或多种材料的复合结构生长在特定的基底上,在应变的作用下,材料的磁性发生变化,该技术引起了人们极大的兴趣,具有广阔的应用前景。本论文中,我们首先以一种典型的压电材料[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]0.7-(PbTiO3)0.3(简写为PMN-PT)为媒介,系统地研究了两种异质结中的应变调控磁性行为及其物理机制。进而设计并构筑了一种新型柔性自旋阀结构,并研究了应变对其巨磁电阻效应的调控行为。论文主要研究内容如下:(1)面内电场调控La2/3Sr1/3Mn03(简称为LSMO)薄膜的磁性。采用磁控溅射和脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition,简称为PLD)在不同晶向的PMN-PT单晶基底上外延生长出了具有钙钛矿结构的LSMO薄膜。利用电子束曝光、离子束刻蚀等微加工手段将薄膜制备成器件,在LSMO薄膜两侧施加均匀电场,由于PMN-PT具有压电性质,LSMO薄膜受到PMN-PT应变的影响。结果表明,LSMO薄膜的矫顽力、剩余磁化、居里温度、各向异性磁电阻都会随电场的变化而呈现出规律性的变化,其中在PMN-PT(011)晶向上生长的LSMO薄膜的矫顽力变化幅度最大。本实验的研究结果可以用Stoner-Wohlfarth模型(简称为S-W模型)和第一性原理计算结果来解释。该结构还可用于产生电控磁信号。(2)面内电场调控L10-FePt薄膜的垂直磁各向异性。利用磁控溅射在极化的PMN-PT(001)单晶基片上在650℃制备了 L100-FePt薄膜。研究了薄膜厚度、退火温度和不同顶层对薄膜磁性的影响。随后,利用电子束曝光、离子束刻蚀等微加工手段将薄膜制备成器件,发现FePt薄膜的面外矫顽力随着施加在基底上的面内电场发生规律性的变化。当电场从10 kV/cm变化到-10 kV/cm时,面外矫顽力的变化幅度可达21.3%,薄膜磁化方向也随面内电场而改变。此外,利用剩余磁化随电场的改变还可产生一个W形状的磁信号。(3)系统研究了应变对顶钉扎柔性自旋阀的巨磁电阻值(giant magnetoresistance,简称为GMR)的调控。采用磁控溅射法在柔性聚对二甲苯酸乙二脂醇(polyethyleneterephthalate,简称为PET)基片上制备了顶钉扎的Pt/Co90Fe10/Cu/Co90Fe10/IrMn 的自旋阀(spin valve,简称为 SPV)。研究表明,当非磁层Cu的厚度为5.5 nm时,自旋阀的GMR值最大。垂直于易轴的应变可以同时调控自旋阀的自由层Co90Fe10和钉扎层Co90Fe10的磁性,从而导致自旋阀的GMR值在0.64%到2.08%间连续可调,且重复施加500次应变之后,不同弯曲角度下的GMR值均保持稳定。本实验现象可以用Stoner-Wohlfarth模型来解释。此外,该自旋阀异质结也可以用来产生矩形或锯齿形波信号。
【图文】:

磁滞回线


2文献综述逡逑2.1铁磁性的几个基本概念逡逑图2-1为铁磁性材料的磁滞回线,其中ABC为起始磁化曲线,CDEFGHC逡逑为磁滞回线,磁滞回线有以下参数:He矫顽力,磁性材料完全饱和后再到完逡逑全退磁时所需要外磁场的大小,按照矫顽力的大小,我们可以把铁磁材料分逡逑为硬磁材料和软磁材料,硬磁材料磁滞回线宽阔、面积大,,矫顽力较大,有逡逑良好的信噪比,信号不易受杂散场干扰,一般用于磁记录介质中,软磁材料逡逑磁滞回线狭窄、面积小,矫顽力较小;Ms为饱和磁化强度,外磁场足够大的逡逑情况下,材料中的所有磁畴取向和外磁场相同,此时时单位体积(质量)的逡逑总磁矩值称为饱和磁化强度。Ms¥定于磁性材料的磁性原子数、原子磁矩等;逡逑Mr:剩余磁化强度,当磁性材料达到磁化饱和后,去掉外磁场,在原磁化方逡逑向上保留的磁化强度称为剩余磁化强度。取决于材料晶体构型

曲线,蓝线,磁化强度,磁滞回线


当cp邋=邋0,邋7T时,由于沿着磁场的磁化强度为MsCOS(p,所以,我们求逡逑得的解会被画在以mhvs邋h的坐标系中,mh=cos<p,是磁化强度沿外磁场的分量,逡逑如图2-2所示。实心红色和蓝色曲线分别代表方程3的两个解,即稳定的磁化逡逑方向,在外磁场为-1/2邋ShS邋1/2时,两条曲线出现互相重合的部分,这个重逡逑合的区域就是磁滞回线所在的区域。内插图为能量随cp改变的曲线,红色和逡逑蓝色的星形代表系统能量最小时方程三的解,而垂直虚线与红蓝虚线的交点逡逑代表了系统能量最大值,也就是两个能量最小平衡态之间势垒。逡逑逦逦逦逡逑^邋/逦I邋N逡逑I逦1逦邋.逦..逦逦逦逦逦邋逦-i逦逡逑-1逦-0邋5逦0/5逦l7逡逑H.'逡逑-1逡逑图2-2邋mh邋vs邋h坐标系中,方程2-6的两个解逡逑在一般的磁滞回线测试中,磁场会正向到负向,磁化强度会沿着蓝线行逡逑进,当h=0.5时,红线开始出现,可是此时h依然大于零,蓝线代表的磁化方逡逑向因为靠近外磁场方向
【学位授予单位】:北京科技大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TB30

【相似文献】

相关期刊论文 前10条

1 姚素薇;姜莹;张卫国;;自旋阀多层膜的电化学制备及其巨磁电阻效应[J];物理化学学报;2007年04期

2 姜宏伟,王艾玲,郑鹉;自旋阀中的各向异性磁电阻效应[J];物理学报;2005年05期

3 李健平;钱正洪;白茹;孙宇澄;;用退火法重置自旋阀材料钉扎方向的研究[J];材料保护;2013年S2期

4 钱丽洁;朱金荣;许小勇;胡经国;;自旋阀结构中的力致磁阻效应[J];功能材料与器件学报;2009年06期

5 王乐;于广华;姜勇;冯春;滕蛟;;退火对Ni_(80)Fe_(20)/Al_2O_3/Ag/Al_2O_3/Ni_(80)Fe_(20)平面自旋阀中自旋积累的影响[J];稀有金属;2011年06期

6 卢志红,李铁,邱进军,荀坤,沈鸿烈,姚新华,沈松华,林更琪,李佐宜,沈德芳;NiO/NiFeCo/Cu/NiFeCo自旋阀结构的巨磁电阻效应及影响因素的研究[J];功能材料;1999年03期

7 柴春林,滕蛟,于广华,朱逢吾,赖武彦,肖纪美;退火对FeMn钉扎自旋阀性质的影响[J];物理学报;2002年08期

8 刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,杨芝茵;磁控溅射法制备IrMn顶钉扎自旋阀研究[J];功能材料与器件学报;2003年04期

9 欧阳可青,任天令,刘华瑞,曲炳郡,刘理天,李伟;磁控溅射法制备IrMn底钉扎自旋阀研究[J];功能材料与器件学报;2005年02期

10 祁先进;王寅岗;周广宏;李子全;;退火对IrMn基自旋阀结构和磁性能的影响[J];材料工程;2010年07期

相关会议论文 前10条

1 杨立;吴小山;谭伟石;游彪;盛雯婷;林涛;杜军;胡安;蒋树声;;δ掺杂阻止Fe_(21)Ni_(79)/Cu多层膜界面的组分扩散研究[A];第八届全国X射线衍射学术会议论文集[C];2003年

2 王磊;单荣;周良成;薛菲;杨新菊;周仕明;;粗糙度对自旋阀巨磁电阻的影响[A];第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集[C];2004年

3 孙亮;任远;杜军;吴小山;盛雯婷;王雅新;游彪;鹿牧;胡安;;NiO顶部和底部钉扎自旋阀的比较[A];第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集[C];2004年

4 刘华瑞;任天令;刘理天;李伟;;顶钉扎自旋阀中Ta缓冲层的优化研究[A];首届信息获取与处理学术会议论文集[C];2003年

5 杨芝茵;李伟;刘华瑞;库万军;;用磁控溅射法制备具有GMR效应的自旋阀多层膜[A];第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议论文集[C];2004年

6 刘华瑞;任天令;刘理天;库万军;;适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究[A];首届信息获取与处理学术会议论文集[C];2003年

7 曾燕萍;刘仲武;郑志刚;余红雅;曾德长;;FeCo-Si-N颗粒膜中的大的室温正磁电阻[A];2012中国功能新材料学术论坛暨第三届全国电磁材料及器件学术会议论文摘要集[C];2012年

8 ;固体化学与物理无机化学[A];中国化学会第二十四届学术年会论文摘要集[C];2004年

9 王立锦;张辉;滕蛟;于广华;;磁性薄膜材料磁电阻效应测试系统[A];北京市高等教育学会技术物资研究会第九届学术年会论文集[C];2007年

10 王立锦;张辉;张金中;滕蛟;于广华;;磁性薄膜材料磁电阻效应测试系统[A];北京高教学会实验室工作研究会2007年学术研讨会论文集[C];2007年

相关重要报纸文章 前4条

1 ;自旋阀开创有机芯片时代[N];计算机世界;2004年

2 ;铜锰合金型磁自旋阀[N];中国有色金属报;2003年

3 ;上钉扎型钴铜磁自旋阀[N];中国有色金属报;2003年

4 记者 桂运安;二维纳米材料实现最高负磁电阻效应[N];安徽日报;2014年

相关博士学位论文 前10条

1 郭琦;铁磁性异质结中磁电性能的应变调控研究[D];北京科技大学;2018年

2 王磊;自旋阀中磁输运和磁性的研究[D];复旦大学;2005年

3 王申;烷烃分子的自旋输运和有机自旋阀器件的制备[D];南京大学;2011年

4 唐晓莉;自旋阀中的极化输运及相关自旋新材料、结构研究[D];电子科技大学;2007年

5 王日兴;倾斜磁各向异性自旋阀结构的稳定性分析和铁磁共振研究[D];湖南大学;2012年

6 祁先进;低剂量Ga~+辐照和温度对自旋阀磁性能及其稳定性的影响[D];南京航空航天大学;2010年

7 丘学鹏;交换偏置磁锻炼和恢复效应研究及GMR自旋阀的制备[D];复旦大学;2010年

8 杨福江;基于跃迁理论的有机器件磁场效应研究[D];山东大学;2015年

9 李杨;密度泛函理论和非平衡格林函数方法对Co基Heusler合金磁电阻结界面特征及电子自旋极化输运的研究[D];西南大学;2016年

10 曾燕萍;纳米结构铁磁—非磁复合薄膜的制备、磁性和和磁电输运特性研究[D];华南理工大学;2016年

相关硕士学位论文 前10条

1 杜伟伟;基于巨磁电阻效应的自旋阀传感器研究[D];电子科技大学;2014年

2 刘建林;自旋阀材料和传感器的特性及应用研究[D];杭州电子科技大学;2015年

3 邹志理;基于巨磁电阻效应的线性可调传感器研究[D];电子科技大学;2016年

4 李滋润;Fe_4N基双层膜和有机自旋阀的结构、磁性和磁电阻效应[D];天津大学;2015年

5 陈杰;自旋阀结构多层膜的热稳定性研究[D];南京航空航天大学;2009年

6 孙红光;巨磁电阻自旋阀钉扎层的研究[D];首都师范大学;2003年

7 沈小凤;自旋阀传感器温度自适应系统设计研究[D];杭州电子科技大学;2017年

8 李振亚;垂直磁化自旋阀的制备及其热稳定性研究[D];复旦大学;2010年

9 赵慧;磁性自旋阀和隧道结的制备及相关性能研究[D];复旦大学;2008年

10 高晓平;新型磁性生物芯片的自旋阀薄膜研究[D];兰州大学;2014年



本文编号:2589169

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2589169.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户551ab***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com