纳米结构氧化铟及其复合材料的水热合成与气敏性能研究
【图文】:
图 1.1 气敏传感器的分类以及优缺点另外,由于电阻式气体传感器具有较高的响应值,快速的响应恢复时间、制作成本低等优势而受到广泛研究,常用来制作传感器的金属氧化物材料有 Fe2O3、ZnO、In2O3以及 NiO 等。由于金属氧化物半导体的导电类型不同,,因此可以分为 P 型半导体和 N型半导体,其中 P 型半导体主要载流子是空穴,而 N 型半导体的主要载流子为电子。常见的 P 型和 N 型半导体如表 1.1 所示[16-17]。表 1.1 常见的 N 型和 P 型半导体材料1.1.2 气体传感器的特征参数半导体类型 金属氧化物和复合氧化物半导体n 型 ZnO、Fe2O3、SnO2、WO3、MoO3、In2O3P 型 CuO、Cu2O、NiO、Cr2O3、MnO2、Co3O4
图 1.2 N 型半导体在被测气体中的电阻变化图性当气体传感器所处的环境中有各种气体时,能够对特定来说当一个传感器只对一种气体具有较高的灵敏度,而抗干扰能力强,也就是选择性良好[19]。-恢复时间指气敏元件从开始接触到被测气体到电阻值的变化(△是指当被测气体从气敏元件上脱附材料的阻值恢复为 来说,响应和恢复时间越短,气体传感器的性能越好。电阻一个基本的参数,它是指气敏元件在工作状态下,气敏阻稳定后才可以开始用被测气体测试气敏性能,一般用稳定性
【学位授予单位】:济南大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TB33;TQ133.53
【参考文献】
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本文编号:2595623
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