拓扑半金属材料的第一性原理研究
【图文】:
用来描述三种物质态的图。顶图:最左边描述了普通的绝缘态中电子地运态的电子能带结构,占据态价态和非占据态导带直接有一个能隙是的价:左边描述处于强磁场下的二维量子霍尔态中的电子在洛伦兹力下同样不同于绝缘态情况的是在体系边缘处会发生电子运动的跳跃行为,所以态;右边表示了量子霍尔态的电子结构中类似绝缘态情况在占据的价态体能隙,但是不同之处是在能隙之中存在着一个边缘态,它将导带和价旋霍尔态,自旋相反的电子走在各自不同方向的通道上,但是总电流为文献[27]。反常霍尔态们来介绍一般的反常霍尔效应。1881年, 霍尔效应第一次被Edw铁, 钴,镍等铁磁性材料进行试验观测时发现的这种奇异的物理个问题,就是根本不需要在外加磁场的条件下进行对霍尔效应磁性材料中出现。这是由于样品本身具有长程的铁磁序, 这样
的杂质的作用、声子的散射作用给忽略掉,认为它们不会对该效应产生影响效应的出现完全是因为该材料系统本身具有的一种的本征性质。另一类是外是指外界的条件导致该效应的出现。例如 Smit 等人提出了反常霍尔效应的kew scattering)机制[35],和 1970 年 Berger 提出的边跳(side jump)机制[36],外系统的杂质和缺陷有关。尽管这两类机制的争论还一直持续着,但是到 20自旋电子学的研究有了新的发展,,引起人们的关注。认为自旋轨道耦合作用的时间反演对称性才导致的反常霍尔效应。并且理论工作也逐渐完善,贝里性质也息息相关,它会导致反常霍尔效应在该材料中出现,所以应该说它是制。 通过对 Sr2RuO3系统[37]及金属 Fe[38]中的反常霍尔效应进行的定量的第算研究, 都证实了这种内禀机制的主导作用。随后越来越多的实验与理论研这种基于贝里相位的内禀机制的正确性。这种内禀机制对于我们后面将要讨反常霍尔效应至关重要。
【学位授予单位】:河南师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TB30
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