含铅、硼无机功能材料的制备及其中子伽马共同防护性能研究
【学位单位】:西南科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TB34
【部分图文】:
图 1-1 光电效应示意图Figure 1-1 The schematic diagram of photoelectric effect2)康普顿效应入射的伽马光子与介质原子核外电子发生弹性碰撞,光子生改变,而电子得到伽马光子部分能量从原子中逃逸出来,这种反冲电子被称为康普顿电子。由于原子核外层电子较小,与具有相对极高能量的伽马光子碰撞后,反冲电子基本就是入射伽马光子与散射光子的能量差。具有相当动可以继续在材料中产生电离和激发作用,而散射的光子也质原子中的电子产生康普顿效应和光电效应。最终被介质部分逃逸出去。当能量约为 1Mev 的伽马射线辐射材料时康普顿效应,如图 1-2 所示。
图 1-2 康普顿效应示意图Figure 1-2 The schematic diagram of Compton Effect子对效应材料被能量大于 1.02Mev 的伽马射线辐照时,库伦作用下,伽马光子消失并转化为一对正负电子对效应,如图 1-3 所示。其中消失的伽马光子子对的静态能量,剩余部分能量转化为电子对的料发生电离和激发作用,损失能量的正电子将于产生伽马射线。
图 1-2 康普顿效应示意图Figure 1-2 The schematic diagram of Compton Effect3)电子对效应屏蔽材料被能量大于 1.02Mev 的伽马射线辐照时,伽马子的库伦作用下,伽马光子消失并转化为一对正负电子,为电子对效应,如图 1-3 所示。其中消失的伽马光子能量负电子对的静态能量,剩余部分能量转化为电子对的动能质材料发生电离和激发作用,损失能量的正电子将于材料湮没产生伽马射线。
【参考文献】
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本文编号:2822854
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