高分子网络凝胶法制备ZnO-Ag纳米复合材料及其光催化活性
【学位单位】:西南民族大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:TB33;X703
【部分图文】:
图 1.1 光催化剂降解污染物示意图Figure 1.1 Reaction Mechanism of Semiconductor Photocatalyst半导体光催化剂的机理和过程可用一下公式表示:
图 1.2 常见半导体能带结构示意图Figure 1.2 Schematic diagram of common semiconductor band structures半导体的能带结构:图 1.2 是常见的几种物质的禁带宽度以及导带底端和价带顶端置。计算带隙宽度的常用公式为:Egg1240λ=中 λg为光吸收阈值,Eg为半导体禁带宽度。当价带向正极继续移动,导带向负极继续,就会使光生载流子的氧化还原能力增强。所以,想要半导体光催化剂具有较好的光活性,就还要找到最适当的禁带宽度,从而获得较好的光催化活性。可以激发半导体电子发生跃迁的波长范围的计算通常使用普朗克(Planck)方程,出的结果就是光响应范围。普朗克方程:hc
溶于水和乙醇,易溶解于酸性和碱性溶液。氧化锌的基本性质如表 1.1 所示,氧化锌没特殊的味道,且没有毒性,同时具有较高的熔点。ZnO 是直接带隙半导体,禁带宽度较大约为 3.37eV,自由激子束缚能为 60meV。表 1.1 六方纤锌矿型氧化锌的物理性质Table 1.1 Physical properties of hexagonal wurtzite type zinc oxide
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