二氧化钛基复合材料的合成及光催化性能研究
【学位单位】:山东科技大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:O643.36;O644.1;TB33
【部分图文】:
硫化物由于具有特殊的能带结构、半导体或超导性质以及优秀的机械性能等,??在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景,引起了广大研宄??者们的兴趣,成为近年来低维功能材料领域的研究热点[4()]。M〇S2结构如图1.4??所不,Mo原子与S原子之比为1:2,两层S原子之间夹着一层Mo原子,呈现??出三明治型结构。二维过渡金属硫化物是具有MX2型结构的半导体,M代表过??渡金属(如Mo、W等),X代表硫族元素(如S、Se、Te)?[4|]。此外,石墨化??氮化碳(g-C3N4)也是一种二维层状结构,最近也被认为是在可见光下光解水??产氢以及光还原C02的新型光催化剂[42,43]。??市场上己有许多商业光催化产品,包括空气净化器和自洁窗户。然而,在??其他重要应用方面,例如氢气和有机燃料的生产或光电化学太阳能电池的制造,??在商业化之前
HF溶液制备的样品对C02还原显示出最佳光催化活性。该样品的平均边长和厚??度分别为?80?nm和?30?nm,?(001)与(101)面的比例为58:42。基于DFT计??算,(001)和(101)面具有不同的能带结构(如图1.6b),于是文献中提出了??“表面异质结”概念,如图1.6a所示。异质结的构成将有利于在(101)和(001)??面上分别积累光生电子和空穴。然而,HF量的增加会导致(001)面暴露比例??增加,从而导致(101)面上产生电子溢流效应并降低光催化活性。??10??
-A?-4?-2?0?2?4??Energy?(eV)??图1.6?(a)?Ti02纳米片(001)与(101)晶面之间表面异质结形成示意图,(b)通过DFT??计算(101)和(001)晶面的态密度1521??Fig.?1.6?(a)?Illustration?of?surface?heterojunction?formed?between?the?(001)?and?(101)??surfaces?of?Ti02?nanosheet,?(b)?Density?of?states?(DOS)?of?(101)?and?(001)?surfaces?of??anatase?Ti02?from?DFT?calculation??目前己有多种方法成功合成了具有高百分比(001)面暴露的锐钛矿Ti02,??如图1.7a所示。他11等[53]人在水热条件下用Ti(C4H90)4作为前体,HF作为封??端剂制备了(001)晶面主导的Ti02。得到的光活性是P25的9倍。并通过改变??r的量分析了?F对(001)面的影响。通过实验分析得出HF含量和反应温度对??(001)晶面的形成过程起关键作用。制备最大百分比的(001)面的最佳反应??条件为200°C,?5mLTi(C4H90)4和0.8mLHF。在此条件下获得的纳米片的平均??尺寸为?130nm,厚度为?8nm,?(001)面的暴露比为89%。丫〇啤等[54]人通过改??变反应压力和温度,用Ti(C4H90)4和HF为原料,采用水热法合成了具有82%??(001)面和1.6 ̄2.7nm厚度的超薄Ti02纳米片
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