反应熔渗制备C/SiC复合材料的微观组织与性能（英文）
发布时间：2020-12-30 20:47
采用反应熔渗法将熔融Si渗入C/C多孔体中制备了C/SiC复合材料。研究了包埋式布硅对C/C多孔体不同位置毛细吸附行为的影响以及对制备C/SiC复合材料密度的影响。反应熔渗制备的C/SiC复合材料内部存在残余的游离硅,经过除硅处理后游离硅显著减少,但其致密化程度有所降低,同时其抗弯曲强度明显下降。
【文章来源】：稀有金属材料与工程. 2020年10期 北大核心
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
2.1 Effect of silicon location on density of C/Si C material prepared by reactive melting infiltration
2.2 Microstructure and phase composition of C/Si C material prepared by RMI
2.3 Bending properties of C/Si C composites prepared by RMI
3 Conclusions
本文编号：2948280
【文章来源】：稀有金属材料与工程. 2020年10期 北大核心
【文章页数】：6 页
【文章目录】：
1 Experiment
2 Results and Discussion
2.1 Effect of silicon location on density of C/Si C material prepared by reactive melting infiltration
2.2 Microstructure and phase composition of C/Si C material prepared by RMI
2.3 Bending properties of C/Si C composites prepared by RMI
3 Conclusions
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