溶胶-凝胶法制备的用于模式控制型液晶透镜的AZO高电阻薄膜
发布时间:2021-01-11 00:43
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂摩尔分数为5%~20%的Al掺杂ZnO(AZO)高电阻薄膜,采用正方形电阻法表征了薄膜的方块电阻,采用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌进行了表征,采用Nano Measurer 1.2软件测量了薄膜晶粒的平均粒径,采用分光光度计表征了薄膜的光谱透过率。当Al掺杂摩尔分数为5%~20%时,方块电阻在2~405 MΩ/之间逐渐增大,晶粒尺寸在24.35~17.53nm之间逐渐减小,可见光透过率可达80%左右。制备了不同Al掺杂摩尔分数的AZO高电阻层的模式控制型液晶透镜并研究了其光学干涉特性,掺杂摩尔分数在10%~15%之间,AZO薄膜可满足液晶透镜对薄膜透明度和方块电阻的要求。
【文章来源】:液晶与显示. 2020,35(10)北大核心
【文章页数】:6 页
【部分图文】:
模式控制型液晶透镜结构图
液晶透镜干涉特性测试装置如图2所示,波长为520nm的平行光,经过起偏器(与液晶透镜摩擦方向成45°)、液晶透镜、检偏器(与起偏器正交)后形成的干涉图像由500万像素的CMOS图像传感器采集获得。3 结果与讨论
在玻璃基板上制备了7种不同摩尔分数(5%,7.5%,10%12.5%,15%,17.5%,20%)的AZO高电阻薄膜,薄膜样品如图3所示。图4所示为7种样品的扫描电镜图。从图中可以看出,薄膜表面均匀平整,无明显断层缺陷,随着Al掺杂摩尔分数的增加,薄膜粒径变小,用软件Nano Measurer 1.2计算得出5%~20%Al掺杂的薄膜粒径约为24.35~17.53nm,不同Al掺杂的薄膜粒径如表1所示。这一结果与文献[14]报导结果基本一致。图4 7种不同Al摩尔分数的AZO高阻膜样品扫描电镜图。(a)5%;(b)7.5%;(c)10%;(d)12.5%;(e)15%;(f)17.5%;(g)20%。
【参考文献】:
期刊论文
[1]快速响应模式电极pi-cell液晶透镜的研究[J]. 肖奇,于涛,章波,王伟郅,巩伟兴,张嘉伦. 液晶与显示. 2019(08)
[2]低压驱动高阻值层液晶透镜[J]. 林坚普,林朝福,翁徐阳,张永爱,周雄图,郭太良,严群. 光子学报. 2019(05)
[3]丙烯酸酯改性水性聚氨酯/纳米二氧化硅复合材料的制备和性能[J]. 陈广美,汪志坤,吴立霞,黄毅萍. 应用化学. 2019(05)
[4]锂离子电池负极材料碳氮包覆钛酸锂的制备及表征[J]. 万露,付争兵. 应用化学. 2018(01)
[5]模式液晶透镜的制备与光学成像特性研究[J]. 李东平,匡文剑,李青. 光电子技术. 2014(04)
[6]Al浓度对AZO紫外探测器性能的影响[J]. 王培利,邓宏,韦敏,李燕. 半导体光电. 2008(05)
硕士论文
[1]Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电膜及其光电性能研究[D]. 张锋.哈尔滨工业大学 2009
本文编号:2969731
【文章来源】:液晶与显示. 2020,35(10)北大核心
【文章页数】:6 页
【部分图文】:
模式控制型液晶透镜结构图
液晶透镜干涉特性测试装置如图2所示,波长为520nm的平行光,经过起偏器(与液晶透镜摩擦方向成45°)、液晶透镜、检偏器(与起偏器正交)后形成的干涉图像由500万像素的CMOS图像传感器采集获得。3 结果与讨论
在玻璃基板上制备了7种不同摩尔分数(5%,7.5%,10%12.5%,15%,17.5%,20%)的AZO高电阻薄膜,薄膜样品如图3所示。图4所示为7种样品的扫描电镜图。从图中可以看出,薄膜表面均匀平整,无明显断层缺陷,随着Al掺杂摩尔分数的增加,薄膜粒径变小,用软件Nano Measurer 1.2计算得出5%~20%Al掺杂的薄膜粒径约为24.35~17.53nm,不同Al掺杂的薄膜粒径如表1所示。这一结果与文献[14]报导结果基本一致。图4 7种不同Al摩尔分数的AZO高阻膜样品扫描电镜图。(a)5%;(b)7.5%;(c)10%;(d)12.5%;(e)15%;(f)17.5%;(g)20%。
【参考文献】:
期刊论文
[1]快速响应模式电极pi-cell液晶透镜的研究[J]. 肖奇,于涛,章波,王伟郅,巩伟兴,张嘉伦. 液晶与显示. 2019(08)
[2]低压驱动高阻值层液晶透镜[J]. 林坚普,林朝福,翁徐阳,张永爱,周雄图,郭太良,严群. 光子学报. 2019(05)
[3]丙烯酸酯改性水性聚氨酯/纳米二氧化硅复合材料的制备和性能[J]. 陈广美,汪志坤,吴立霞,黄毅萍. 应用化学. 2019(05)
[4]锂离子电池负极材料碳氮包覆钛酸锂的制备及表征[J]. 万露,付争兵. 应用化学. 2018(01)
[5]模式液晶透镜的制备与光学成像特性研究[J]. 李东平,匡文剑,李青. 光电子技术. 2014(04)
[6]Al浓度对AZO紫外探测器性能的影响[J]. 王培利,邓宏,韦敏,李燕. 半导体光电. 2008(05)
硕士论文
[1]Sol-Gel法制备ZnO:Al透明导电膜及其光电性能研究[D]. 张锋.哈尔滨工业大学 2009
本文编号:2969731
本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/2969731.html