利用归中反应制备n/p型氧化亚铜薄膜及其导电机制研究
发布时间：2021-01-12 17:22
氧化亚铜（Cu2O）薄膜在光电转化和光电化学转化方面具有良好的应用前景,Cu2O薄膜的导电性调控和导电机制研究对于提高Cu2O薄膜的光电转化效率具有重要意义。本工作利用归中反应在pH=5的弱酸性硫酸铜（CuSO4）溶液中制备了Cu2O薄膜,通过在溶液中加入不同浓度的硝酸钾（KNO3）来调控Cu2O薄膜的导电类型,并在分析薄膜生长过程的基础上研究了KNO3浓度对Cu2O薄膜导电类型的调控机制。此外,本工作利用电化学阻抗谱技术和光电流表征技术分析了Cu2O薄膜的导电机制。全文主要内容及结果如下:（1）将铜箔置于pH=5的CuSO4溶液中,通过在溶液中加入不同浓度的KNO3得到了不同导电类型的Cu2O薄膜。研究发现,当KNO3浓度≦0.75 mol dm-3时,Cu<...
【文章来源】：西北大学陕西省 211工程院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
光电化学测试装置示意图
第二章 实验方法和设备(1) 测试条件电化学阻抗谱测试均在制备 Cu2O 薄膜的电镀液中进行以模拟 Cu2O 薄膜生长过程中的电荷传递速率变化。干扰信号的振幅为 5 mV，自动选择灵敏度。工作电极为Cu 电极，对电极为石墨棒，参比电极为 Ag/AgCl (饱和 KCl)电极。电化学阻抗谱的测试装置示意图如图 2.2 所示。
图 3.1 在含有不同浓度 KNO3的电镀液中制备的 Cu2O 薄膜的 XRD 图。e 3.1 XRD patterns of Cu2O films grown in the plating solutions with diconcentrations of KNO3.以测试固体表面的化学组成或元素组成、原子价态等信息，其对 Cu2O 薄膜进行 XPS 测试可以进一步准确测量 Cu2O 薄膜表由 Cu2O 薄膜的 XPS 全谱图(图 3.2 (a))可知，图中无 N 元素的 398 eV)出现，即 KNO3的加入并不会在 Cu2O 薄膜内引入 N 掺 薄膜的 Cu 2p 分区图，图中在结合能 932.5 eV 和 952.4 eV 处分别对应于Cu2O 的 Cu2p3/2和Cu2p1/2的特征峰[70]，且随着电镀，Cu 2p 的特征峰位置及强度变化不大，无 Cu2+的峰出现，这不会影响Cu2O 的组成。由于 Cu0和Cu+的结合能位置相近(相差 Cu 2p 图结合能的位置上区别 Cu+和 Cu[71]。然而，Cu2O 和 Cu 的能峰位分别为 570.0 eV、568.0 eV，相差 2 eV，所以可通过 C
【参考文献】：
期刊论文
[1]In-situ design and construction of lithium-ion battery electrodes on metal substrates with enhanced performances:A brief review[J]. Weixin Zhang,Yingmeng Zhang,Zeheng Yang,Gongde Chen,Guo Ma,Qiang Wang. Chinese Journal of Chemical Engineering. 2016(01)
本文编号：2973211
【文章来源】：西北大学陕西省 211工程院校
【文章页数】：74 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
光电化学测试装置示意图
第二章 实验方法和设备(1) 测试条件电化学阻抗谱测试均在制备 Cu2O 薄膜的电镀液中进行以模拟 Cu2O 薄膜生长过程中的电荷传递速率变化。干扰信号的振幅为 5 mV，自动选择灵敏度。工作电极为Cu 电极，对电极为石墨棒，参比电极为 Ag/AgCl (饱和 KCl)电极。电化学阻抗谱的测试装置示意图如图 2.2 所示。
图 3.1 在含有不同浓度 KNO3的电镀液中制备的 Cu2O 薄膜的 XRD 图。e 3.1 XRD patterns of Cu2O films grown in the plating solutions with diconcentrations of KNO3.以测试固体表面的化学组成或元素组成、原子价态等信息，其对 Cu2O 薄膜进行 XPS 测试可以进一步准确测量 Cu2O 薄膜表由 Cu2O 薄膜的 XPS 全谱图(图 3.2 (a))可知，图中无 N 元素的 398 eV)出现，即 KNO3的加入并不会在 Cu2O 薄膜内引入 N 掺 薄膜的 Cu 2p 分区图，图中在结合能 932.5 eV 和 952.4 eV 处分别对应于Cu2O 的 Cu2p3/2和Cu2p1/2的特征峰[70]，且随着电镀，Cu 2p 的特征峰位置及强度变化不大，无 Cu2+的峰出现，这不会影响Cu2O 的组成。由于 Cu0和Cu+的结合能位置相近(相差 Cu 2p 图结合能的位置上区别 Cu+和 Cu[71]。然而，Cu2O 和 Cu 的能峰位分别为 570.0 eV、568.0 eV，相差 2 eV，所以可通过 C
【参考文献】：
期刊论文
[1]In-situ design and construction of lithium-ion battery electrodes on metal substrates with enhanced performances:A brief review[J]. Weixin Zhang,Yingmeng Zhang,Zeheng Yang,Gongde Chen,Guo Ma,Qiang Wang. Chinese Journal of Chemical Engineering. 2016(01)
本文编号：2973211
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