基于带隙渐变的合金纳米线基片的光电导探测器的研究
发布时间：2021-01-20 13:47
CdS和CdSe一维半导体纳米结构已成为光电探测领域的研究热点材料。通常，单一组成的半导体材料具有固定带隙，只对其带隙附近的光子能量具有很高的光响应。合金纳米线在单基片上的集成生长技术的突破，成功解决了不同带隙半导体材料集成到一起后的晶格不匹配问题，为实现宽光谱高灵敏探测提供了可能。本课题利用大尺度CdSSe三元合金半导体纳米线集成基片，优化了基底材料和电极结构等条件的基础上，实现了宽光谱高灵敏探测大尺寸光电探测器，为利用微观纳米结构构建宏观高灵敏大尺度光电探测器奠定了理论和实验基础。具体工作如下：（1）本文采用条件可控的化学气相沉积法（CVD）方法在不同基底，如硅片、白云母上制备了组分/带隙渐变的CdSxSe1-x（x从0到1，带隙从1.7eV到2.4eV）纳米线集成基片。比较了其光电导性能的差异，发现白云母片做基底，整个基片具有更高的明暗电流比，最大可达106。白云母基底有着不导电、易分层结构、价格低廉等多种优点，降低了光电探测器制备工艺的成本及难度。同时，考察了不同形状的铝电极：叉指电极和条形电极对光电导性能的影响。不同电极形状、不同光照面积所产生的载流子数量及收集效率均有差异。...
【文章来源】：北京理工大学北京市 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：72 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
电极和纳米线的接触情况等效电路及纳米线晶体管不同接触情况下的I-V特性曲线
属的功函数和半导体纳米材料的费米能级不匹配，在肖特基势垒。肖特基势垒在 M-S-M 结构中反向偏压时一般的半导体纳米线，I-V 特性主要取决于 MSM 结构向偏置时，势垒的厚度降低，电子由金属向纳米线中流（纳米电子器件的典型信号水平）。MSM 结构包含两部性质，需要良好的电接触。完美的电极接触,如欧姆接半导体纳米线中通常测得非线性的 I-V 曲线。肖特基势同的—I-V 特性，包括线性、近乎对称、不对称、以及近线取决于纳米线的内部参数，如电阻率、掺杂浓度、接触面积和肖特基势垒高度。在较大的电压下，MSM 的斜率与纳米线电阻相关。一般在半导体纳米线中，触将得到新型 I-V 曲线，如果一端近欧姆接触，则对应的接触情况不一致将会得到非对称的 I-V 曲线。
图 1.4 CdS 纳米线—石墨烯器件的制备过程[49]墨烯表面上沉积金颗粒薄膜，金粒子用作催化剂，在以往在溅射有金粒子的位置，可通过控制金颗粒的位置将 CdS烯的上方，然后蒸镀两端电极（Ti/Au）。当入射光照射纳生电子-空穴对，光生载流子可以通过石墨烯通道在电压作。CdS 纳米线的长度与生长时间成正比。义为：时间的延长（0-45min），纳米线从无法覆盖整个单层石墨米线由于具有较大的光照面积，光敏度表现出上升趋势。45min），纳米线继续增长，载流子在到达石墨烯之前复合趋势。这点与本文中部分研究相似，正文部分我们将
本文编号：2989154
【文章来源】：北京理工大学北京市 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：72 页
【学位级别】：硕士
【部分图文】：
电极和纳米线的接触情况等效电路及纳米线晶体管不同接触情况下的I-V特性曲线
属的功函数和半导体纳米材料的费米能级不匹配，在肖特基势垒。肖特基势垒在 M-S-M 结构中反向偏压时一般的半导体纳米线，I-V 特性主要取决于 MSM 结构向偏置时，势垒的厚度降低，电子由金属向纳米线中流（纳米电子器件的典型信号水平）。MSM 结构包含两部性质，需要良好的电接触。完美的电极接触,如欧姆接半导体纳米线中通常测得非线性的 I-V 曲线。肖特基势同的—I-V 特性，包括线性、近乎对称、不对称、以及近线取决于纳米线的内部参数，如电阻率、掺杂浓度、接触面积和肖特基势垒高度。在较大的电压下，MSM 的斜率与纳米线电阻相关。一般在半导体纳米线中，触将得到新型 I-V 曲线，如果一端近欧姆接触，则对应的接触情况不一致将会得到非对称的 I-V 曲线。
图 1.4 CdS 纳米线—石墨烯器件的制备过程[49]墨烯表面上沉积金颗粒薄膜，金粒子用作催化剂，在以往在溅射有金粒子的位置，可通过控制金颗粒的位置将 CdS烯的上方，然后蒸镀两端电极（Ti/Au）。当入射光照射纳生电子-空穴对，光生载流子可以通过石墨烯通道在电压作。CdS 纳米线的长度与生长时间成正比。义为：时间的延长（0-45min），纳米线从无法覆盖整个单层石墨米线由于具有较大的光照面积，光敏度表现出上升趋势。45min），纳米线继续增长，载流子在到达石墨烯之前复合趋势。这点与本文中部分研究相似，正文部分我们将
本文编号：2989154
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