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铜基硫属化物半导体纳米材料的制备及太阳能量转化应用研究

发布时间:2021-01-26 06:25
  铜基硫属化物半导体(如多元铜锌锡硫、三元铜铟硫、二元硫化铜/硒化铜等)具有合适的禁带宽度(1-2 eV),吸光系数高、组成元素环境友好、成本低廉,是一类有发展潜力的光电转换材料。该类材料在光解水器件和量子点敏化太阳能电池(QDSSCs)的应用上具有良好的前景。本论文旨在发展多元Cu2ZnSn(S1-xSex)4、三元CuInS2在太阳能光解水器件光阳极上的应用以及二元Cu7S4/Cu2-xSe在QDSSCs对电极上的应用。主要研究结果如下:1.研究一种室温下用水溶剂混合不同金属配合物制备多元Cu2ZnSn(S1-xSex)4的方法,并探讨其在光解水器件上的应用。设计[Sn2S6]4-和[Sn2S4Se2

【文章来源】:合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:76 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

铜基硫属化物半导体纳米材料的制备及太阳能量转化应用研究


半导体材料能级随尺寸变化示意图

示意图,光解水,半导体材料,光生载流子


图 1.2 半导体材料光解水示意图Fig 1.2 Scheme of the water splitting by semiconductors如图1.2所示,半导体光解水大致可以分为3个过程:(1)半导体受光激发产生光生载流子,(2)光生载流子的复合与迁移,其中大部分光生载流子复合少部分迁移到表面,(3)表面反应,到达表面未被复合的光生载流子被吸附在半导体表面的水分子捕获,发生水解反应。几乎所有的半导体材料都可以完成上述(1)和(2)过程,但仅有部分半导体材料可以完成过程(3)

关系图,氧化还原电势,水分解,关系图


带底和价带顶的位置。当导带底的位置高于氢的电极电势时,光生载流子(电子)则能还原水中的氢离子从而产生氢气。若价带顶的位置低于氧的电极电势,则说明光生载流子(空穴)有足够的能力氧化水中的氧离子进而产生氧气。图1.3为一些常见半导体材料的能带结构与水分解氧化还原电势关系图(图中标明的电极电势为pH=0时的数值)。1.2 光解水制氢

【参考文献】:
期刊论文
[1]量子点敏化太阳能电池研究进展[J]. 马娟,宋凤丹,陈昊,周运禄,齐随涛,杨伯伦.  化工进展. 2015(10)
[2]量子点敏化太阳能电池电解质的研究进展[J]. 舒婷.  化学工程师. 2013(04)



本文编号:3000632

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