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利用纳米压印技术构筑高效的QLED器件及其出光性能研究

发布时间:2021-07-11 16:03
  1994年Alivisatos小组首次将CdSe胶体量子点(QDs)应用到发光二极管,标志着量子点发光二极管(QLED)发展研究的开始。二十多年来,QLED已经取得了长足发展,红、绿、蓝QLED器件的外量子效率分别提升至20.5%、20.0%、18.0%,接近了理论最大值。但这一数值与当下流行的有机发光二极管(OLED)还有一定差距,还不能完全满足商业化的要求。其中问题之一就是光取出问题,由理论分析可知,由于QLED器件的内部全反射、表面等离子激元模式、基板模式等致使大量的光困于器件内部,限制了QLED效率的进一步提升。在OLED器件中,通过引入合适周期的微纳米阵列结构已成为提高外量子效率的一个重要手段,应用的结构如蛾眼结构、光栅结构、柱状结构和各种一维、二维纳米图案等,其光取出效率均有大幅度提升。根据微纳米结构应用的不同位置,可以大体分为内结构与外结构,它们都对器件的出光效率起到了一定的增强作用,而相比外结构,内结构可以影响器件中多层膜结构,且合适的结构可以同时解决波导模式与表面等离子激元模式对出光的限制,从而使器件的外量子效率得到极大的提升。在传统QLED中,空穴注入层一般采用PE... 

【文章来源】:河南大学河南省

【文章页数】:80 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

利用纳米压印技术构筑高效的QLED器件及其出光性能研究


QLED发光过程光损耗比率

分布曲线,模式,波导模式,电磁场分布


图 1-2 (a) SPP 模式的产生示意图 (b) SPP 模式所产生的电磁场分布图 (c) SPP 模式所展现的动量失配分布曲线[34]波导模式与基板模式:波导模式与基板模式都是由于不同介质层的折射率差所引起的全反射造成的光损失,发生在器件内部界面层的全反射成为波导模式,发生在玻璃基底/空气界面的称为基板模式[35-37],如图 1-3 所示。两种模式对光的损耗共高达 55%以上,因此是提高器件性能所要克服的重点。本论文的重点与思路也是消除 QLED 器件中的波导模式。

器件,波导模式,模式,基板


图 1-2 (a) SPP 模式的产生示意图 (b) SPP 模式所产生的电磁场分布图 (c) SPP 模式所展现的动量失配分布曲线[34]波导模式与基板模式:波导模式与基板模式都是由于不同介质层的折射率差所引起的全反射造成的光损失,发生在器件内部界面层的全反射成为波导模式,发生在玻璃基底/空气界面的称为基板模式[35-37],如图 1-3 所示。两种模式对光的损耗共高达 55%以上,因此是提高器件性能所要克服的重点。本论文的重点与思路也是消除 QLED 器件中的波导模式。

【参考文献】:
期刊论文
[1]纳米压印技术的最新进展[J]. 王金合,费立诚,宋志棠,张静,周为民,张剑平.  微纳电子技术. 2010(12)
[2]表面等离子体亚波长光学的研究[J]. 孙梅.  北京工商大学学报(自然科学版). 2009(01)
[3]纳米压印技术[J]. 孙洪文,刘景全,陈迪,顾盼,杨春生.  电子工艺技术. 2004(03)



本文编号:3278406

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