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钛酸铜钙/聚偏氟乙烯复合介质的制备及介电性能研究

发布时间:2021-07-29 21:01
  高介电特性材料在电气及电子工程领域具有非常广阔的应用前景,例如可用于储能电容器及嵌入式电容器。在新时期能源利用领域,储能器件的轻量化、微型化和特殊用途需求对材料的介电特性提出更高的要求,希望能获得兼有高介电常数、低介质损耗、高击穿场强及易加工等综合性能良好的介电材料体系。随着纳米复合技术的发展,高介电陶瓷-聚合物类复合材料引起了越来越多的关注。本文围绕钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12)无机陶瓷填料进行结构设计,提升聚偏氟乙烯(PVDF)基复合介质的介电性能及储能特性。在微/纳米CaCu3Ti4O12/PVDF复合介质的研究中,利用溶胶凝胶-燃烧法制备微米级CaCu3Ti4O12(CCTO)颗粒,水热合成法制备纳米级CCTO颗粒,微/纳米CCTO颗粒均能提高PVDF基复合材料的相对介电常数。通过化学镀镍法合成微米CCTO@Ni填充相,在溶液涂覆法制备中施加磁场处理获得高相对介电常数的CCTO@... 

【文章来源】:哈尔滨理工大学黑龙江省

【文章页数】:138 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

钛酸铜钙/聚偏氟乙烯复合介质的制备及介电性能研究


CCTO颗粒的制备工艺流程图

流程图,流程图,粉体,镀液


图 2-2 CCTO@Ni MP 的制备流程图Fig. 2-2 Flow diagram for the preparation of CCTO@Ni MP首先,按照填料浓度为 20g/L 比例量取一定量的 CCTO 粉体,浸入无水中超声清洗 30min 后,再将粉体浸入到粗化液中浸泡 30min,经去离子水清洗至中性后完成粗化过程。其次,将粗化后的粉体浸入到敏化夜中浸min 后,经去离子水反复清洗至中性后完成敏化过程。然后,将敏化后的浸入到活化夜中浸泡 30min,经去离子水反复清洗至中性后 80℃烘干完成过程。最后,将活化后的粉体添加到镀液中,分别镀镍 10min、30minmin,水浴控制镀液温度 92℃,电动搅拌速率为 200r/min,通过向镀液中 NaOH 溶液来控制 PH≈13,经抽滤、清洗和烘干后得到镀镍的一系列陶瓷,标记 CCTO@Ni MP。在预处理过程中,被粗化处理的 CCTO 颗粒表面形成许多凹坑或微孔,敏化处理后,敏化剂中的 Sn2+吸附在 CCTO 表面的凹坑或微孔中,形成具原性的催化膜。在活化处理过程中,活化剂中的 Pb2+与 Sn2+发生氧化还原,Sn2+将 Pd2+还原成 Pd 颗粒;而金属 Pd 就是化学镀镍反应中的催化剂,使 CCTO 表面形成具有自催化活性的催化中心。在化学镀镍过程中,水合

SEM图,制备方法,微观形貌,颗粒制备


第 2 章 微/纳米 CCTO 颗粒制备及表面修饰对 PVDF 介电特性的影响2.2 CCTO 颗粒的微结构2.2.1 CCTO 颗粒的微观形貌为研究不同制备方法对 CCTO 颗粒的形貌的影响,对溶胶凝胶-燃烧法和水热合成法制备的 CCTO 颗粒样品进行微观形貌表征,其 SEM 形貌如图 2-3所示,其中 2-3(b)图是在 160℃水热反应 8h,且 700℃烧结 1h 制备得到的。

【参考文献】:
期刊论文
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本文编号:3310050

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