氧/碲化铟低维材料的气相合成及光电性能研究

发布时间：2021-08-24 23:12

　　金属氧化物半导体（MOS）纳米材料的研究和应用近年来得到了巨大的发展,未来,随着电子信息化技术的深入研究,MOS纳米材料将会具有更大的应用价值和潜力。氧化铟纳米材料作为MOS的一员,在光敏、气敏半导体元器件中具有广泛应用。本文通过化学气相沉积法（CVD）,分别在不同的温度、时间等条件下合成出氧化铟纳米材料。通过XRD表征图谱,发现其主要成分为立方相氧化铟,通过SEM观察其具体的形貌状态,主要有纳米线、八面体等形貌,通过TEM表征其生长方向和结晶度等性质。进一步通过光刻和镀膜工艺将所合成的氧化铟纳米线制备成FET半导体器件,运用光电测试平台测试其在不同电压下的IV曲线以分析其电学性能;测试其在不同波长光照条件下的响应曲线以及同一波长光照下的弛豫曲线,从而分析其光学性能。在此基础之上,对碲化铟纳米材料进行了初步研究。通过化学气相沉积法,首先尝试用碲化铟化合物作为单源前驱体,合成出形貌均匀的碲化铟纳米砖以及少量碲化铟纳米线,通过其XRD表征发现其与InTe标准谱相符。后续尝试用碲粉和铟粉混合物作为多源前驱体参与气相反应,调控温度、压强、气流等实验参数,得到不同形貌的碲化铟纳米材料。在低温下,... 

【文章来源】：华中科技大学湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

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【学位级别】：硕士

【部分图文】：

高温管式炉Fig.2-1Thehigh-temperaturetubefurnace

图 2-2 管式炉温度分布曲线Fig. 2-2 The distribution of tube furnace temperature所用的气流控制系统是通过三通阀与石英管一端相连，另一端连体控制柜，实验所需的气体如氢气、氩气、氧气、氮气等由进气制柜，通过气体控制柜中的混气罐混合均匀后，由出气口通入石种气体的流量由质量流量计精确控制，精度为 0.1 sccm。依靠该气将各种所需的气体精确、便捷的通入管式炉参与反应，方便实验验的可靠性。外光刻及镀膜技术便于测试材料的光电性能，需要通过紫外光刻及镀膜技术将实验作成半导体器件，然后才能通过光电测试平台测试其光电性能，题组的紫外光刻及镀膜技术。

然后将充分显影的衬底取出并用氮气一致的衬底是远远不够的，要想制作工艺相结合。镀膜仪，如图 2-4 所示，其外接空压机组所用的镀膜仪为加拿大 AE Nexdep镀膜两种不同的方式蒸镀。我们通常电子束加热具有更高的通量密度，可以埚用来放置不同金属或化合物作为蒸镀电脑控制系统控制整个镀膜过程，只需沉积，操作更为简便。同时，沉积层过程在真空下进行，反应前后以氮气。


本文编号：3360906