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Sb 2 S 3 /TiO 2 纳米管异质结阵列的制备和光电性能

发布时间:2021-11-12 23:48
  结合水热法和阳极氧化法合成了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列,采用场发射扫描电子显微镜、X射线衍射谱表征了异质结阵列的形貌和晶体结构。暗态下的电流-电压曲线表明Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列具有整流效应。相比于纯的TiO2纳米管阵列,Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能有了显著的提升:在AM 1.5标准光强作用下,光电转换效率从0.07%增长到0.40%,表面光电压响应范围从紫外光区拓宽至可见光区。结合表面光电压谱和相位谱,分析了Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列中光生载流子的分离和传输性能。 

【文章来源】:半导体光电. 2016,37(01)北大核心

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

Sb 2 S 3 /TiO 2 纳米管异质结阵列的制备和光电性能


图1TiO2NTA(a)和Sb2S3/TiO2NTA(b)的XRD图谱

截面图,截面,表面,纳米颗粒


b2S3纳米颗粒不仅均匀地分散在TiO2NTA的表面,而且镶嵌在管与管之间,说明Sb2S3纳米颗粒成功地修饰了TiO2纳米管的内表面和外表面。这种结构可以使TiO2NTA负载更多的Sb2S3纳米颗粒,增加光的吸收,同时增加TiO2NTA和Sb2S3纳米颗粒的接触,为载流子的传输提供更多的通道。从Sb2S3/TiO2NTA的截面图观察到TiO2NTA的管状结构在水热反应的过程中保存完好。图2TiO2NTA和Sb2S3/TiO2NTA的表面和截面FESEM2.3Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能纯的TiO2NTA、Sb2S3纳米颗粒和Sb2S3/TiO2NTA在暗态下的电流-电压关系曲线如图3(a)所示。单独的Sb2S3纳米颗粒以及TiO2NTA的I-V曲线均为直线(见图3(a)插图),说明Al电极和Sb2S3纳米颗粒和TiO2NTA分别形成了良好的欧姆接触,在纯的TiO2NTA和Sb2S3纳米颗粒中没有整流效应[7]。当两者复合之后,Sb2S3/TiO2NTA表现出明显的整流效应,由此可见,Sb2S3与TiO2之间形成了具有整流效应的异质结,异质结的形成,便于光生载流子的分离和传输。图3(b)是Sb2S3/TiO2NTA在AM1.5(100mW/cm2)标准光强作用下的电流-电压曲线。从图

暗态,纳米颗粒,纳米管


Sb2S3实现了一步晶化。另外,TiO2NTA和Sb2S3/TiO2NTA的XRD中都有来源于钛基底的衍射峰[6]。2.2Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的形貌由图2可以看出,TiO2纳米管阵列具有清晰的管状结构,管内径约为111nm,管壁约32nm,管长10μm左右,并从图2(b)的插图观察到TiO2纳米管的表面很光滑。水热反应中生成的Sb2S3纳米颗粒,直径约为11~15nm。Sb2S3纳米颗粒不仅均匀地分散在TiO2NTA的表面,而且镶嵌在管与管之间,说明Sb2S3纳米颗粒成功地修饰了TiO2纳米管的内表面和外表面。这种结构可以使TiO2NTA负载更多的Sb2S3纳米颗粒,增加光的吸收,同时增加TiO2NTA和Sb2S3纳米颗粒的接触,为载流子的传输提供更多的通道。从Sb2S3/TiO2NTA的截面图观察到TiO2NTA的管状结构在水热反应的过程中保存完好。图2TiO2NTA和Sb2S3/TiO2NTA的表面和截面FESEM2.3Sb2S3/TiO2纳米管异质结阵列的光电性能纯的TiO2NTA、Sb2S3纳米颗粒和Sb2S3/TiO2NTA在暗态下的电流-电压关系曲线如图3(a)所示。单独的Sb2S3纳米颗粒以及TiO2NTA的I-V曲线均为直线(见图3(a)插图),说明Al电极和Sb2S

【参考文献】:
期刊论文
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[2]Surface photovoltage phase spectroscopy study of the photo-induced charge carrier properties of TiO2 nanotube arrays[J]. CHEN LiPing,XIE TengFeng,WANG DeJun *,FAN ZhiYong & JIANG TengFei State Key Laboratory of Theoretical and Computational Chemistry;College of Chemistry,Jilin University,Changchun 130012,China.  Science China(Chemistry). 2012(02)



本文编号:3491881

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