SiO 2 /Si衬底上热化学气相沉积法直接生长石墨烯

发布时间：2022-01-27 23:33

　　采用化学气相沉积法,以Si O2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响。选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征。结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在Si O2/Si基板上获得高质量的单层石墨烯。 

【文章来源】：材料热处理学报. 2016,37(01)北大核心CSCD

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
1 实验材料及方法
2 结果与讨论
3 结论



本文编号：3613278